SIS780DN-T1-GE3
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Vishay Precision Group SIS780DN-T1-GE3

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型号

SIS780DN-T1-GE3

utmel 编号

2669-SIS780DN-T1-GE3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

PowerPAK® 1212-8

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SIS780DN-T1-GE3 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Vishay Precision Group stock available at utmel

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SIS780DN-T1-GE3详情

Vishay Precision Group SIS780DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    PowerPAK® 1212-8

  • 供应商器件包装

    PowerPAK® 1212-8

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    18A (Tc)

  • Other Names

    SIS780DN-T1-GE3-ND SIS780DN-T1-GE3TR

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • Power Dissipation (Max)

    27.7W (Tc)

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    13.5 mOhm @ 15A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.3V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    722pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    24.5nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    Schottky Diode (Body)

0个相似型号

SIS780DN-T1-GE3拓展信息

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