Vishay Precision Group SIS780DN-T1-GE3
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SIS780DN-T1-GE3
2669-SIS780DN-T1-GE3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
PowerPAK® 1212-8
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SIS780DN-T1-GE3 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Vishay Precision Group stock available at utmel
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SIS780DN-T1-GE3详情
Vishay Precision Group SIS780DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
PowerPAK® 1212-8
供应商器件包装
PowerPAK® 1212-8
RoHS
Non-Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
18A (Tc)
Other Names
SIS780DN-T1-GE3-ND SIS780DN-T1-GE3TR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)
27.7W (Tc)
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
13.5 mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
722pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
Schottky Diode (Body)
SIS780DN-T1-GE3拓展信息







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