BS850/E9
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Vishay Semiconductor BS850/E9

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型号

BS850/E9

utmel 编号

2668-BS850/E9

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BS850/E9 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Vishay Semiconductor stock available at utmel

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BS850/E9 Vishay Semiconductor

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BS850/E9详情

Vishay Semiconductor BS850/E9重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    PLASTIC PACKAGE-3

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BS850/E9

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Vishay Semiconductors

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    威世半导体

  • Risk Rank

    8.57

  • Part Package Code

    SOT-23

  • Drain Current-Max (ID)

    0.25 A

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    310 W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    250 A

  • JEDEC-95代码

    TO-236AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    60 V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    5 Ω

  • 漏源击穿电压

    60 V

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    5 Ω

0个相似型号

BS850/E9拓展信息

SUM60N10-17
SI2304DS-T1
SI2308DS
SI2308DS

Vishay

SUD45P03-10
SI1029X-T1
SI1029X-T1

Vishay

TN0201T
TN0201T

Vishay

SI7423DN
SI7423DN

Vishay

SI2323DS
SI2323DS

Vishay

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