Vishay Semiconductor BS850/E9
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BS850/E9
2668-BS850/E9
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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BS850/E9 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Vishay Semiconductor stock available at utmel
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BS850/E9详情
Vishay Semiconductor BS850/E9重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
PLASTIC PACKAGE-3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BS850/E9
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Vishay Semiconductors
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
威世半导体
Risk Rank
8.57
Part Package Code
SOT-23
Drain Current-Max (ID)
0.25 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
310 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
250 A
JEDEC-95代码
TO-236AB
栅极至源极电压(Vgs)
60 V
漏极-源极导通最大电阻
5 Ω
漏源击穿电压
60 V
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
5 Ω
BS850/E9拓展信息
Vishay
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