Vishay Semiconductor BSN20E9

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

BSN20/E9

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Vishay Semiconductors

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

GENERAL SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.63

Drain Current-Max (ID)

0.18 A

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

350 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

180 mA

JEDEC-95代码

TO-236AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

10 Ω

漏源击穿电压

50 V

DS 击穿电压-最小值

50 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

6 Ω

反馈上限-最大值 (Crss)

8 pF