Vishay Semiconductor FEPB6DT-E3/45
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FEPB6DT-E3/45
2668-FEPB6DT-E3/45
TVS - 二极管
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大陆
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB
1最小包装量--
FEPB6DT-E3/45详情
Vishay Semiconductor FEPB6DT-E3/45重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Obsolete (Last Updated: 5 months ago)
底架
表面贴装
引脚数
3
终端数量
2
Case/Package
TO-263-3
China RoHS
Non-Compliant
Number of Elements
2
Reverse Stand-off Voltage
200 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大输出电流
3 A
元素配置
共阴极
正向电流
6 A
最大浪涌电流
75 A
正向电压
975 mV
最大反向电压(DC)
200 V
平均整流电流
6 A
反向恢复时间
35 ns
峰值反向电流
5 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
200 V
峰值非恢复性浪涌电流
75 A
反向电压
200 V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
75 A
恢复时间
35 ns
辐射硬化
无
达到SVHC
有
FEPB6DT-E3/45拓展信息
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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