Vishay Semiconductor GF49365B
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GF49365B
2668-GF49365B
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.037ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SO-8
1最小包装量--
GF49365B详情
Vishay Semiconductor GF49365B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
GF4936/5B
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Vishay Semiconductors
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
GENERAL SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.82
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
5.8 A
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.037 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
GF49365B拓展信息
Vishay
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