Vishay Semiconductor ICTE10HE3/54

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Breakdown Voltage / V

11.7 V

Reverse Stand-off Voltage

10 V

RoHS

Compliant

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 1.5KE

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

ICTE10HE3/54

Power Dissipation (Max)

6.5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Vishay Semiconductors

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

威世半导体

Breakdown Voltage-Nom

11.7 V

Risk Rank

5.73

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

瞬态抑制器

最大功率耗散

1.5 kW

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

工作电源电压

10 V

极性

单向

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

最大反向漏电电流

2 µA

箝位电压

14.1 V

峰值脉冲电流

90 A

最大浪涌电流

200 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

测试电流

1 mA

Rep Pk反向电压-最大值

10 V

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

11.7 V

最大箝位电压

13.7 V

最小击穿电压

11.7 V