Vishay Semiconductor ICTE15C-E3/1

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Breakdown Voltage / V

17.6 V

Reverse Stand-off Voltage

15 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

NOT APPLICABLE

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

ICTE-15C-E3/1

Power Dissipation (Max)

6.5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Vishay Semiconductors

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

威世半导体

Risk Rank

5.44

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT APPLICABLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

工作电源电压

15 V

极性

双向

配置

SINGLE

泄漏电流

2 µA

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

箝位电压

21.4 V

峰值脉冲电流

60 A

最大浪涌电流

200 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

测试电流

1 mA

Rep Pk反向电压-最大值

15 V

反向击穿电压

17.6 V

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

17.6 V