Vishay Semiconductor IRFR9120TRRPBF
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IRFR9120TRRPBF
2668-IRFR9120TRRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3
1最小包装量--
IRFR9120TRRPBF详情
Vishay Semiconductor IRFR9120TRRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IRFR9120TRRPBF
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Vishay Intertechnologies
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.07
Part Package Code
TO-252AA
Drain Current-Max (ID)
5.6 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻
0.6 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
22 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
210 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRFR9120TRRPBF拓展信息
Vishay
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