Vishay Semiconductor SI5855CDC-T1-GE3
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SI5855CDC-T1-GE3
2668-SI5855CDC-T1-GE3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1206-8, CHIPFET-8
1最小包装量--
SI5855CDC-T1-GE3详情
Vishay Semiconductor SI5855CDC-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
8
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
22 ns
包装
Tape & Reel
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
接通延迟时间
11 ns
上升时间
34 ns
连续放电电流(ID)
2.5 A
栅极至源极电压(Vgs)
8 V
辐射硬化
无
SI5855CDC-T1-GE3拓展信息
Vishay
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