Vishay Semiconductor SQ1912EEH-T1-GE3
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SQ1912EEH-T1-GE3
2668-SQ1912EEH-T1-GE3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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SQ1912EEH Automotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET
--最小包装量--
SQ1912EEH-T1-GE3详情
Vishay Semiconductor SQ1912EEH-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
6
Number of Elements
2
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
431 ns
包装
Tape & Reel
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
功率耗散
1.5 W
接通延迟时间
34 ns
上升时间
51 ns
连续放电电流(ID)
800 mA
栅极至源极电压(Vgs)
12 V
辐射硬化
无
SQ1912EEH-T1-GE3拓展信息
Vishay
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