VISHAY SEMICONDUCTORS SUM110P06-08L

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

175°C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263

最大漏极电流 (Abs) (ID)

110A

漏极-源极导通最大电阻

0.008Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

211 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR