V53C8125HK35
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VITESSE SEMICONDUCTOR CORP V53C8125HK35

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型号

V53C8125HK35

utmel 编号

1621-V53C8125HK35

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

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V53C8125HK35详情

VITESSE SEMICONDUCTOR CORP V53C8125HK35重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    24

  • Manufacturer Part Number

    V53C8125HK35

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MOSEL-VITELIC

  • Part Package Code

    SOJ

  • Package Description

    SOJ, SOJ24/26,.34

  • Risk Rank

    5.84

  • Access Time-Max

    35 ns

  • Number of Words

    131072 words

  • Number of Words Code

    128000

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    SOJ

  • Package Equivalence Code

    SOJ24/26,.34

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.02

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    J BEND

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    24

  • JESD-30代码

    R-PDSO-J24

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 电源

    5 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.16 mA

  • 组织结构

    128KX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    3.429 mm

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.001 A

  • 记忆密度

    1048576 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    快速页面 DRAM

  • 刷新周期

    512

  • 访问模式

    快速页面

  • 长度

    17.3101 mm

  • 宽度

    7.62 mm

0个相似型号

V53C8125HK35拓展信息

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