WeEn Semiconductors WG50N65DHWQ

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

供应商器件包装

TO-247-3

厂商

威恩半导体

Package

Tube

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

91 A

Test Conditions

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Base Product Number

WG50N65D

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.65

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Pd - Power Dissipation

278 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

600

Continuous Collector Current at 25 C

91 A

Mounting Styles

通孔

Part # Aliases

934072776127

Manufacturer

威恩半导体

Brand

威恩半导体

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

包装

Tube

子类别

IGBTs

技术

Si

配置

Single

功率耗散

278

输入类型

Standard

功率 - 最大

278 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 50A

连续集电极电流

91

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

160 nC

集极脉冲电流（Icm）

200 A

Td（开/关）@25°C

66ns/163ns

开关能量

1.7mJ (on), 600μJ (off)

反向恢复时间(trr)

105 ns

产品类别

IGBT晶体管