WNSC5D04650T6J
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WeEn Semiconductors WNSC5D04650T6J

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型号

WNSC5D04650T6J

utmel 编号

2700-WNSC5D04650T6J

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

4-VSFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN

起订量

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WNSC5D04650T6J详情

WeEn Semiconductors WNSC5D04650T6J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    4-VSFN Exposed Pad

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    5-DFN (8x8)

  • 房屋材料

    Thermoplastic

  • Body Orientation

    Straight

  • Number of Contact Rows

    1

  • Contact Pitch (mm)

    11.1(mm)

  • Product Depth (mm)

    16(mm)

  • Operating Temp Range

    -60C to 105C

  • Termination Method

    Solder

  • Mounting Styles

    通孔

  • Contact Materials

    Brass/Steel

  • Operating Voltage (Max)

    600V

  • Rad Hardened

  • Product Status

    活跃

  • 厂商

    威恩半导体

  • Base Product Number

    WNSC5

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 包装

    PACKAGE

  • 系列

    -

  • 类型

    隔离带

  • 技术

    SiC (Silicon Carbide) Schottky

  • 接头数量

    2(POS)

  • 房屋颜色

    Black

  • 线规

    12(AWG)

  • 速度

    No Recovery Time > 500mA (Io)

  • 反向泄漏电流@ Vr

    20 µA @ 650 V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.7 V @ 4 A

  • 工作温度 - 结点

    -55°C ~ 175°C

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    650 V

  • 平均整流电流(Io)

    4A

  • 电容@Vr, F

    138pF @ 1V, 1MHz

  • 最大额定电流

    20/Contact(A)

  • 反向恢复时间(trr)

    0 ns

  • 产品长度(mm)

    25.4(mm)

  • 产品高度(mm)

    21.08(mm)

0个相似型号

WNSC5D04650T6J拓展信息

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