WeEn Semiconductors WNSC5D12650T6J
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WNSC5D12650T6J
2700-WNSC5D12650T6J
无类别的
4-VSFN Exposed Pad
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DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
1最小包装量--
WNSC5D12650T6J详情
WeEn Semiconductors WNSC5D12650T6J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-VSFN Exposed Pad
供应商器件包装
5-DFN (8x8)
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
WNSC5
厂商
威恩半导体
Product Status
活跃
系列
-
技术
SiC (Silicon Carbide) Schottky
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
反向泄漏电流@ Vr
60 µA @ 650 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7 V @ 12 A
工作温度 - 结点
-55°C ~ 175°C
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
650 V
平均整流电流(Io)
12A
电容@Vr, F
420pF @ 1V, 1MHz
反向恢复时间(trr)
0 ns
WNSC5D12650T6J拓展信息







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