PCF1206-12-1K69BT1详情
Welwyn PCF1206-12-1K69BT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
供应商器件包装
LFPAK56, Power-SO8
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
61.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
厂商
NXP USA Inc.
Power Dissipation (Max)
106W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
11mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.15V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2880 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
32 nC @ 5 V
漏源电压 (Vdss)
55 V
Vgs(最大值)
±15V
场效应管特性
-
PCF1206-12-1K69BT1拓展信息








哦! 它是空的。