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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 供应商器件包装 | 厂商 | 操作温度 | 系列 | 类型 | 子类别 | 电压 - 供电 | 内存大小 | 速度 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 产品类别 | 记忆密度 | 产品类别 | 温度 | 组织的记忆 | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | W63AH6NBVACE TR | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 178-VFBGA | 178-VFBGA (11x11.5) | 活跃 | Volatile | W63AH6 | 1.8V / 1.2V | 933 MHz | + 85 C | 1.95 V | Winbond Electronics | - 25 C | 2000 | 1.14 V | SMD/SMT | Winbond | Winbond | -25°C ~ 85°C (TC) | W63AH6NB | Low Power DDR3 SDRAM | Memory & Data Storage | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 1Gbit | 800/933MHz/1066MHz | 933 MHz | 37 mA | 5.5 ns | DRAM | HSUL_12 | 16 bit | 64Mbit x16 | 15ns | DRAM | 1Gb | DRAM | -25ºC~85ºC, -40ºC~85ºC | 64M x 16 |
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