W949D2DBJX5E TR
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Winbond Electronics W949D2DBJX5E TR

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型号

W949D2DBJX5E TR

utmel 编号

2736-W949D2DBJX5E TR

商品类别

存储器

封装

90-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

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W949D2DBJX5E TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

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W949D2DBJX5E TR详情

Winbond Electronics W949D2DBJX5E TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    90-TFBGA

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -25°C~85°C TC

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 电压 - 供电

    1.7V~1.95V

  • 内存大小

    512Mb 16M x 32

  • 时钟频率

    200MHz

  • 访问时间

    5ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    15ns

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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