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Wuxi NCE Power Semiconductor NCE2010E
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NCE2010E
3125-NCE2010E
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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大陆
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20V 7A 1.5W 18mΩ@4.5V,6.5A 900mV@250uA 2 N-Channel TSSOP-8 MOSFETs ROHS
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NCE2010E详情
Wuxi NCE Power Semiconductor NCE2010E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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RoHS
true
Drain Source Voltage (Vdss)
20V
Power Dissipation (Pd)
1.5W
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)
18mΩ@4.5V,6.5A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)
900mV@250uA
Package
Tape & Reel (TR)
类型
2 N-Channel
配置
Common Drain
Continuous Drain Current (Id)
7A
NCE2010E拓展信息
NCEPOWER
NCEPOWER
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NCEPOWER
NCEPOWER
NCEPOWER
NCEPOWER
NCEPOWER
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