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Wuxi NCE Power Semiconductor NCE40H21CD
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NCE40H21CD
2763-NCE40H21CD
无类别的
TO-263-2
大陆
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NCE40H21CD详情
Wuxi NCE Power Semiconductor NCE40H21CD重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
TO-263-2
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N 沟槽
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.5 mΩ @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250uA
漏源电压 (Vdss)
40V
25°C时的连续漏极电流（Id）。
210A
功率耗散-最大值(Ta)
310mW
RoHS状态
符合RoHS标准
NCE40H21CD拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。