WUXI UNIGROUP MICRO TPW65R170M
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TPW65R170M
2764-TPW65R170M
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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650V 20A 150mΩ@10V,10A 151W 4.5V@250uA 1 N-Channel TO-247-3 MOSFETs ROHS
1最小包装量--
TPW65R170M详情
WUXI UNIGROUP MICRO TPW65R170M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
true
Drain Source Voltage (Vdss)
650V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)
150mΩ@10V,10A
Power Dissipation (Pd)
151W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)
4.5V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
2.5pF@100V
Input Capacitance (Ciss@Vds)
1.676nF@100V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)
38.5nC@10V
Package
Tube-packed
操作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
类型
1 N-Channel
Continuous Drain Current (Id)
20A
TPW65R170M拓展信息
WUXI UNIGROUP MICRO
WUXI UNIGROUP MICRO







哦! 它是空的。