XP Power VFT15-28

表面安装

NO

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Shape

ROUND

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Max

200 °C

Number of Elements

1

Drain Current-Max (ID)

2.5 A

Risk Rank

5.7

Package Description

FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4

Ihs Manufacturer

ASI SEMICONDUCTOR INC

Part Life Cycle Code

活跃

Manufacturer Part Number

VFT15-28

ECCN 代码

EAR99

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-CRFM-F4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.5 A

DS 击穿电压-最小值

65 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

55 W

最高频段

甚高频段