XP3R303GMT-L
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YAGEO XSEMI XP3R303GMT-L

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型号

XP3R303GMT-L

utmel 编号

2787-XP3R303GMT-L

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerLDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK

起订量

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XP3R303GMT-L YAGEO XSEMI MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK

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XP3R303GMT-L详情

YAGEO XSEMI XP3R303GMT-L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerLDFN

  • 供应商器件包装

    PMPAK® 5 x 6

  • Power Dissipation (Max)

    5W (Ta), 56.8W (Tc)

  • 厂商

    YAGEO XSEMI

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    31A (Ta), 105A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    3V @ 250µA

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    XP3R303

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    活跃

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.3mOhm @ 30A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2240 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    21 nC @ 4.5 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

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XP3R303GMT-L拓展信息

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