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Yangzhou Yangjie Elec Tech YJQ4666B

Name: YJQ4666B
Brand: Yangzhou Yangjie Elec Tech
SKU: 2792-YJQ4666B
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

YJQ4666B

品牌

Yangzhou Yangjie Elec Tech

utmel 编号

2792-YJQ4666B

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

封装

6-UDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

20V 7A 24.5mΩ@4.5V,7A 2.2W 620mV@250uA 109pF@10V P Channel 852pF@10V [email protected] -55℃~ 150℃@(Tj) DFN2x2-6L MOSFETs ROHS

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YJQ4666B详情

技术参数

Yangzhou Yangjie Elec Tech YJQ4666B重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad
供应商器件包装

6-DFN (2x2)
Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
厂商

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Power Dissipation (Max)

2.2W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

36.5mOhm @ 7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

852 pF @ 10 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

40.1 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)

20 V
Vgs（最大值）

±10V
场效应管特性

-

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