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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	产品类别	长度	宽度
GS8342Q18BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	Industrial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q18BD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		895 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial					SRAM
GS8672T20BGE-633	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaDDR-II+	Details	DDR-II				有	633 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672T20BGE				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.5 A			4 M x 18					SRAM			72						SRAM
GS8162Z18DB-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	BGA,	网格排列	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	4.2 ns	85 °C	无	GS8162Z18DB-375	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.27	BGA	Commercial grade	238@Flow-Through/375@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	0 to 85 °C	Tray	GS8162Z18DB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格	2.7 V		OTHER	2.3 V	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	250 mA, 320 mA	4.2 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18		1.99 mm	18	20 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		SRAM	22 mm	14 mm
GS8342S18BGD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO-II	Details	DDR	Commercial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342S18BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		665 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial					SRAM
GS8161E36DGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	SDR	QFP,	FLATPACK	512000	UNSPECIFIED	-40 °C	未说明	4.2 ns	85 °C	有	GS8161E36DGT-200I	524288 words	2.5 V	QFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.64	QFP	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details		Tray	GS8161E36DGT			3A991.B.2.B	DCD Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	未说明	1		compliant	100	R-XQFP-G100	不合格	2.7 V		INDUSTRIAL	2.3 V	18 Mbit		SYNCHRONOUS	230 mA	6.5 ns		512 k x 36			36		SRAM			18874368 bit		PARALLEL		缓存SRAM		SRAM
GS8342Q36BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342Q36BGD-300I	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.37	BGA	Industrial grade	300 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q36BGD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	1.7 V	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	980 mA		Pipelined	1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36	19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.235 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS816218DD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR		Tray	GS816218DD				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			230 mA, 250 mA	5.5 ns		1 M x 18					SRAM									SRAM
GS832218AB-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	2.7, 3.6 V	表面贴装	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	未说明	7.5 ns	70 °C	无	GS832218AB-150	150 MHz	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.11	BGA	Commercial grade	133@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	0 to 85 °C			e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格	2.7 V	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	2.3 V	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	175 mA, 190 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.99 mm	18	21 Bit		36 Mbit	0.03 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V		22 mm	14 mm
GS8160E18DGT-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				200 MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	-40 to 85 °C	Tray	GS8160E18DGT				DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage								100							18 Mbit	2		210 mA, 215 mA	6.5 ns		1 M x 18					SRAM	18 Mbit			Industrial					SRAM
GS8182Q18BGD-133	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.5 ns	70 °C	有	GS8182Q18BGD-133	1048576 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA	有	133 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details		Tray	GS8182Q18BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V		COMMERCIAL	1.7 V	18 Mbit		SYNCHRONOUS	375 mA			1 M x 18		1.4 mm	18		SRAM			18874368 bit		PARALLEL		DDR SRAM		SRAM	15 mm	13 mm
GS88018CGT-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	200@Flow-Through/300@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	-40 °C	未说明	5 ns	85 °C	有	GS88018CGT-300I	300 MHz	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.3	QFP	Industrial grade	-40 to 85 °C	Tray	GS88018CGT	e3	有	3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	纯哑光锡	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	100	R-PQFP-G100	不合格	2.7 V	2.5/3.3 V	INDUSTRIAL	2.3 V	9 Mbit	2	SYNCHRONOUS	170 mA, 225 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 18	3-STATE	1.6 mm	18	19 Bit	SRAM	9 Mbit	0.045 A	9437184 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V	SRAM	20 mm	14 mm
TMS28F010A-10C4FML	Texas Instruments	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8342D06BD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	BGA	5.22	GSI TECHNOLOGY	活跃	RECTANGULAR	LBGA	1.8 V	400 MHz	GS8342D06BD-400I	无	85 °C	0.45 ns	-40 °C	BGA165,11X15,40	PLASTIC/EPOXY	4000000	Industrial grade	400 MHz	FBGA	QDR	-40 to 100 °C	Tray	GS8342D06BD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	1.7 V	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	715 mA		Pipelined	4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8	20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.235 A	33554432 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
TMS29F040-10C5DDL	Texas Instruments	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8321Z18AGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	85 °C	有	GS8321Z18AGD-250	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.3	BGA	Commercial grade	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	0 to 85 °C	Tray	GS8321Z18AGD	e1	有	3A991.B.2.B	NBT	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE		Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	2.7 V		OTHER	2.3 V	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	215 mA, 255 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 18		1.4 mm	18	21 Bit	SRAM	36 Mbit		37748736 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		SRAM	15 mm	13 mm
GS880F18CGT-5I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel																													9 Mbit			170 mA	5 ns		512 k x 18								9
GS8672T37BGE-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaDDR-II+	Details	DDR-II				有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672T37BGE				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.2 A			2 M x 36					SRAM			72						SRAM
GS881Z32CGT-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	NBT SRAM	Details	SDR				有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS881Z32CGT				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															9 Mbit			150 mA, 160 mA	7.5 ns		256 k x 32					SRAM									SRAM
GS881Z32CGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	NBT SRAM	Details	SDR				有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS881Z32CGT				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															9 Mbit			160 mA, 190 mA	6.5 ns		256 k x 32					SRAM									SRAM
GS8342T06BGD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Commercial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342T06BGD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	1		565 mA		Pipelined	4 M x 8				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial					SRAM
AT28C256E-30FM/883	Atmel	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS816236DGB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	SyncBurst	Details	SDR				有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS816236DGB				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			200 mA, 210 mA	7.5 ns		512 k x 36					SRAM									SRAM
GS816032DGT-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	表面贴装	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	5.5 ns	85 °C	有	GS816032DGT-250IV	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.34	QFP	Industrial grade	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	-40 to 100 °C		GS816032DGT			3A991.B.2.B			ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41		CMOS	QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	100	R-PQFP-G100		2 V		INDUSTRIAL	1.7 V	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	250 mA, 270 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32		1.6 mm	32	20 Bit		18 Mbit		16777216 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM			20 mm	14 mm
GS842Z36CB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119				有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	84	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR		Tray	GS842Z36CB				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															4 Mbit			150 mA, 160 mA	7.5 ns		128 k x 36					SRAM									SRAM
GS8182Q08BD-133	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II	N	DDR				有	133 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8182Q08BD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															18 Mbit			375 mA			2 M x 8					SRAM									SRAM