category.集成电路IC_category.集成电路IC品牌厂家，型号_价格_规格

类别是'category.存储器' (10000)

所有品牌

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	地址总线宽度	产品类别	密度	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	写入周期时间 - 最大值	数据保持时间	写入保护
GS8342S18BGD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO-II	Details	DDR	Industrial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342S18BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		675 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial										SRAM
GS8162Z18DGD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	85 °C	有	GS8162Z18DGD-150	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.27	BGA	Commercial grade	133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	0 to 85 °C	Tray	GS8162Z18DGD			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	2.7 V		OTHER	2.3 V	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	170 mA, 180 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18		1.4 mm	18	20 Bit	SRAM	18 Mbit	18874368 bit	Commercial	PARALLEL	ZBT SRAM				SRAM	15 mm	13 mm
25AA160AT-I/SNG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	8		3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8	小概要	1	2000	PLASTIC/EPOXY	SOP8,.25	-40 °C	40	85 °C	有	25AA160AT-I/SNG	10 MHz	2048 words	2.5 V	SOP	RECTANGULAR	Microchip Technology Inc	不推荐	MICROCHIP TECHNOLOGY INC	5.26	SOIC					e3	有	EAR99		Matte Tin (Sn)		8542.32.00.51	EEPROMs	CMOS	DUAL	鸥翼	260	1	1.27 mm	compliant	8	R-PDSO-G8	不合格	5.5 V	2/5 V	INDUSTRIAL	1.8 V			SYNCHRONOUS	0.006 mA			2KX8		1.75 mm	8				0.000001 A	16384 bit		SERIAL		EEPROM	SPI	1000000 Write/Erase Cycles	5 ms	200	HARDWARE/SOFTWARE			4.9 mm	3.9 mm
GS8672Q37BGE-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II				有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672Q37BGE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.48 A			2 M x 36					SRAM			72											SRAM
GS88118CGT-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	512 kWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	,	有	GS88118CGT-300I	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.8	Industrial grade				TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	-40 to 85 °C																	compliant	100								1				Flow-Through/Pipelined							9 Mbit			Industrial
GS8672D18BE-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II	N	QDR-II				有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672D18BE				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.1 A			4 M x 18					SRAM			72											SRAM
GS816136DGD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SyncBurst	Details	SDR				有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS816136DGD				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			200 mA, 210 mA	7.5 ns		512 k x 36					SRAM														SRAM
GS8672D19BGE-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II				有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672D19BGE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.19 A			4 M x 18					SRAM			72											SRAM
GS8342T37BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T37BGD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	1		580 mA		Pipelined	1 M x 36				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial										SRAM
GS8672D36BE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II	N	QDR-II				有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672D36BE				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.86 A			2 M x 36					SRAM			72											SRAM
GS880E18CGT-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	有	GS880E18CGT-150I	150 MHz	524288 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.6	QFP	有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		Tray	GS880E18CGT	e3	有	3A991.B.2.B	DCD	纯哑光锡	PIPELINED/FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	100	R-PQFP-G100	不合格	2.7 V	2.5/3.3 V	INDUSTRIAL	2.3 V	9 Mbit		SYNCHRONOUS	140 mA, 150 mA	7.5 ns		512 k x 18	3-STATE	1.6 mm	18		SRAM		0.045 A	9437184 bit		PARALLEL	COMMON	缓存SRAM				2.3 V	SRAM	20 mm	14 mm
GS8342DT11BD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	9 Bit	1.9 V	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR				350 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8342DT11BD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage								165							36 Mbit			675 mA	0.45		4 M x 9					SRAM			36											SRAM
GS8342D19BGD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade				350 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342D19BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		665 mA		Pipelined	2 M x 18				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial										SRAM
GS8342T20BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Commercial grade				400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342T20BGD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	1		600 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial										SRAM
GS8160E32DGT-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				150 MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	-40 to 85 °C	Tray	GS8160E32DGT				DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage								100							18 Mbit	4		195 mA, 210 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial										SRAM
GS8182D36BD-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				有	167 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR		Tray	GS8182D36BD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															18 Mbit			390 mA			512 k x 36					SRAM														SRAM
GS8342DT10BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS8342DT10BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		605 mA		Pipelined	4 M x 9				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial										SRAM
GS8182D09BD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	Commercial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	0 to 70 °C	Tray	GS8182D09BD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage								165							18 Mbit	2		515 mA		Pipelined	2 M x 9				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial										SRAM
GS8182S18BGD-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR	Commercial grade				375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS8182S18BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage								165							18 Mbit	2		680 mA		Pipelined	1 M x 18				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial										SRAM
GS8342TT10BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	-40 to 100 °C	Tray	GS8342TT10BGD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	1		460 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial										SRAM
GS8161E32DD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR					Tray	GS8161E32DD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			230 mA	6.5 ns		512 k x 32					SRAM														SRAM
GS816118DD-333IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Industrial grade				200@Flow-Through/333@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS816118DD				同步突发				Memory & Data Storage								165							18 Mbit	2		240 mA, 300 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18				20 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial										SRAM
GS816236DGD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SyncBurst	Details	SDR				有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS816236DGD				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			200 mA, 210 mA	7.5 ns		512 k x 36					SRAM														SRAM
GS8162Z36DB-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	21	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	BGA,	网格排列	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	无	GS8162Z36DB-150IV	1.8 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	Industrial grade	133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8162Z36DB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格	2 V		INDUSTRIAL	1.7 V	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	195 mA, 210 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36		1.99 mm	36	19 Bit	SRAM	18 Mbit	18874368 bit	Industrial	PARALLEL	ZBT SRAM				SRAM	22 mm	14 mm
GS8160E32DGT-200V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				200 MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS8160E32DGT				DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage								100							18 Mbit	4		205 mA, 210 mA	6.5 ns		512 k x 32					SRAM	18 Mbit			Commercial										SRAM