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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	产品类别
GS816136DD-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	150 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	0 to 85 °C																		165							18 Mbit	4		175 mA, 190 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36				19 Bit		18 Mbit		Commercial
GS881Z32CGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	100	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	表面贴装	2.7, 3.6 V	32 Bit	256 kWords	有	300 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5 ns	70 °C	有	GS881Z32CGD-300	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.29	QFP	Commercial grade	200@Flow-Through/300@Pipelined MHz	FBGA	SDR	0 to 70 °C	Tray	GS881Z32CGD	e1	有	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	165	R-PQFP-G100	不合格	2.7 V		COMMERCIAL	2.3 V	9 Mbit	1	SYNCHRONOUS	165 mA, 225 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	256 k x 32		1.6 mm	32	18 Bit	SRAM	8 Mbit	8388608 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		SRAM	20 mm	14 mm
GS816132DGD-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS816132DGD				同步突发				Memory & Data Storage								165							18 Mbit	4		225 mA, 245 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32				19 Bit	SRAM	18 Mbit		Commercial					SRAM
GS8182S36BGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR				有	200 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8182S36BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage															18 Mbit			445 mA			512 k x 36					SRAM								SRAM
GS8161Z18DD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	2.7, 3.6 V	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	无	GS8161Z18DD-200I	1048576 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	BGA	Industrial grade	153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	18 Bit	-40 to 85 °C	Tray	GS8161Z18DD			3A991.B.2.B	NBT		FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165		2.7 V		INDUSTRIAL	2.3 V	18 Mbit		SYNCHRONOUS	215 mA	6.5@Flow-Through/3@P		1 M x 18		1.4 mm	18		SRAM		18	Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM		SRAM	15 mm	13 mm
GS8342DT10BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342DT10BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		540 mA		Pipelined	4 M x 9				20 Bit	SRAM	36 Mbit		Industrial					SRAM
GS8342T10BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR	Industrial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T10BD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	1		460 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit		Industrial					SRAM
GS8672Q18BE-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	QDR-II	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	0.45 ns	70 °C	无	GS8672Q18BE-200	BGA	5.49	GSI TECHNOLOGY	Obsolete	RECTANGULAR	LBGA	1.8 V	4194304 words	200 MHz	有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N		Tray	GS8672Q18BE			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II			8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	1.7 V	72 Mbit		SYNCHRONOUS	850 mA			4 M x 18	3-STATE	1.5 mm	18		SRAM		72		PARALLEL	SEPARATE	标准SRAM	1.7 V	SRAM	17 mm	15 mm
GS816132DGD-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS816132DGD				同步突发				Memory & Data Storage								165							18 Mbit	4		195 mA, 210 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32				19 Bit	SRAM	18 Mbit		Industrial					SRAM
GS8342T19BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR	Industrial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T19BD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	1		460 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mbit		Industrial					SRAM
GS8161Z36DGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	5.5 ns	85 °C	有	GS8161Z36DGD-250I	524288 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	BGA	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details		Tray	GS8161Z36DGD			3A991.B.2.B	NBT		FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165		2.7 V		INDUSTRIAL	2.3 V	18 Mbit		SYNCHRONOUS	250 mA, 270 mA	5.5 ns		512 k x 36		1.4 mm	36		SRAM		18874368 bit		PARALLEL		ZBT SRAM		SRAM	15 mm	13 mm
GS8342TT07BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8342TT07BGD-333	333 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Commercial grade	333 MHz	FBGA	0 to 85 °C	Tray	GS8342TT07BGD			3A991.B.2.B	SigmaDDR-II+ B2		PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	1.7 V	36 Mbit	1	SYNCHRONOUS	515 mA		Pipelined	4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8	21 Bit	SRAM	36 Mbit	33554432 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	DDR SRAM	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8672D19BGE-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II				有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672D19BGE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.49 A			4 M x 18					SRAM		72						SRAM
GS8672Q18BGE-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II	Details	QDR-II				有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672Q18BGE				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.1 A			4 M x 18					SRAM		72						SRAM
GS816136DD-333IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Industrial grade				200@Flow-Through/333@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS816136DD				同步突发				Memory & Data Storage								165							18 Mbit	4		260 mA, 330 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36				19 Bit	SRAM	18 Mbit		Industrial					SRAM
GS8160Z36DGT-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5.5 ns	70 °C	有	GS8160Z36DGT-250V	524288 words	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.49	QFP	有	250 MHz	+ 85 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR		Tray	GS8160Z36DGT			3A991.B.2.B	NBT		ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	100	R-PQFP-G100		2 V		COMMERCIAL	1.7 V	18 Mbit		SYNCHRONOUS	225 mA, 245 mA	5.5 ns		512 k x 36		1.6 mm	36		SRAM		18		PARALLEL		ZBT SRAM		SRAM	20 mm	14 mm
GS816218DD-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	无	GS816218DD-200IV	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	Industrial grade	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	-40 to 100 °C	Tray	GS816218DD			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165		2 V		INDUSTRIAL	1.7 V	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	210 mA, 215 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18		1.4 mm	18		SRAM	18 Mbit	18874368 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM		SRAM	15 mm	13 mm
GS8182S09BD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	DDR		Tray	GS8182S09BD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage															18 Mbit			430 mA			2 M x 9					SRAM								SRAM
GS8672D19BGE-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II				有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672D19BGE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.12 A			4 M x 18					SRAM		72						SRAM
GS84036CB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	YES	119	GS84036CB-250	131072 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.73		250 MHz	Parallel	2.3 V	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	SDR	有	84	SyncBurst	3.6 V	BGA,	网格排列	128000	PLASTIC/EPOXY	未说明	70 °C	无		Tray	GS84036CB			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		IT ALSO OPERATES AT 3 TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE			CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant		R-PBGA-B119		2.7 V		COMMERCIAL	2.3 V	4 Mbit		SYNCHRONOUS	155 mA, 195 mA	6.5 ns		128 k x 36		1.99 mm	36				4718592 bit		PARALLEL		缓存SRAM			22 mm	14 mm
GS84032CB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	SDR	有	84	SyncBurst	3.6 V				250 MHz	Parallel	2.3 V		Tray	GS84032CB				Pipeline/Flow Through																			4 Mbit			155 mA, 195 mA	6.5 ns		128 k x 32
GS8672D37BGE-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II				有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672D37BGE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage															72 Mbit			2.05 A			2 M x 36					SRAM		72						SRAM
GS8672Q37BE-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II+	N	QDR-II				有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672Q37BE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.76 A			2 M x 36					SRAM		72						SRAM
GS8342Q07BGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				200 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q07BGD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		565 mA		Pipelined	4 M x 8				21 Bit	SRAM	36 Mbit		Industrial					SRAM
GS8672D38BE-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel				500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V			GS8672D38BE																							72 Mbit			2.25 A			2 M x 36							72