类别是'category.TVS二极管' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 组成 | 应用 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 参考标准 | 终端样式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电压 | 极性 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 二极管类型 | 箱体转运 | 电源线保护 | 电压 - 击穿 | 功率 - 脉冲峰值 | 峰值脉冲电流(10/1000μs) | 最大反向漏电电流 | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 箝位电压 | 电压 - 反向断态(典型值) | 峰值脉冲电流 | 峰值脉冲功率 | 方向 | 测试电流 | 单向通道 | 产品类别 | 双向通道 | Rep Pk反向电压-最大值 | JEDEC-95代码 | 电容@频率 | 筛选水平 | 最大非代表峰值转速功率Dis | ESD保护 | 击穿电压-最小值 | 双向通道数 | 最大箝位电压 | 击穿电压-最大值 | 最小击穿电压 | Vf-正向电压 | 产品类别 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MSMLG7.0AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | 2 | SMLG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 3 kW | Microchip | 微芯片技术 | 微芯片技术 | Details | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -65 °C | 未说明 | 150 °C | 有 | MSMLG7.0AE3 | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.57 | DO-215AB | 活跃 | Bulk | SMLG7.0 | 7.78 V | 1.61 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 250 A | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | 7 V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | compliant | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 7 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 7.78V | 3000W (3kW) | 250A | 12V | 12 V | 7V | 1 | TVS 二极管 | 7 V | DO-215AB | - | 3000 W | 7.78 V | 8.6 V | ESD Suppressors / TVS Diodes | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMBG90CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-215AA, SMB Gull Wing | YES | 2 | SMBG (DO-215AA) | SILICON | 2 | + 150 C | 微芯片技术 | 1.38 W | 100 V | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | DO-215AA | 5.46 | 10.55 V | MICROSEMI CORP | 活跃 | 1 | RECTANGULAR | 1.38 W | MASMBG9.0CAE3 | 有 | 40 | PLASTIC/EPOXY | 活跃 | Bulk | SMBG90 | Details | 微芯片技术 | Microchip | 600 W | 4.1 A | 1 | - 65 C | 0.003527 oz | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | 90 V | DUAL | 鸥翼 | 260 | not_compliant | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 90 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 100V | 600W | 4.1A | 146V | 146 V | 90V | TVS 二极管 | 1 | 90 V | DO-215AA | - | 600 W | 100 V | 15.4 V | 11.1 V | ESD Suppressors / TVS Diodes | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMCJ110CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | 2 | DO-214AB (SMCJ) | 微芯片技术 | 微芯片技术 | N | Military grade | SMCJ110 | Bulk | 活跃 | DO-214AB | 1500 W | Bi-Directional | 表面贴装 | 122 V | 1.56 W | + 150 C | - | 0.009065 oz | - 65 C | 1 | 8.4 A | 1.5 kW | Microchip | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 110 V | SMD/SMT | 110 V | 双向 | Single | 1 Channel | 无 | 122V | 1500W (1.5kW) | 8.4A | 177V | 177 V | 110V | 1 mA | TVS 二极管 | 1 | - | Military | 有 | ESD Suppressors / TVS Diodes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCJ75AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | YES | 2 | DO-214AB (SMCJ) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Microsemi Corporation | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.41 | DO-214AB | SMCJ75 | 活跃 | Bulk | 8.33 V | + 150 C | - 65 C | 116.3 A | 1.5 kW | R-PDSO-J2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMCJ75AE3 | 1.56 W | RECTANGULAR | -65°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 260 | compliant | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | 7.5 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 83.3V | 1500W (1.5kW) | 12.4A | 121V | 12.9 V | 75V | 1 | 75 V | DO-214AB | - | 1500 W | 83.3 V | 92.1 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCJ85AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | YES | 2 | DO-214AB (SMCJ) | SILICON | 2 | 9.44 V | 1.56 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 微芯片技术 | 1 | 104.2 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | R-PDSO-J2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMCJ8.5AE3 | 1.56 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.41 | DO-214AB | Military grade | 活跃 | Bulk | SMCJ85 | DO-214AB | 1500 W | Uni-Directional | 表面贴装 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | 8.5 V | DUAL | J BEND | 260 | compliant | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | 8.5 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 94.4V | 1500W (1.5kW) | 10.4A | 137V | 14.4 V | 85V | 1 mA | 1 | TVS 二极管 | 8.5 V | DO-214AB | - | Military | 1500 W | 有 | 9.44 V | 10.4 V | ESD Suppressors / TVS Diodes | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MALCE45AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | DO-201AA, DO-27, Axial | NO | CASE-1 | SILICON | 2 | 20.6 A | 1.5 kW | 微芯片技术 | Microchip | 微芯片技术 | Details | O-PALF-W2 | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | MALCE45AE3 | 5 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 52.65 V | 5.58 | 活跃 | Bulk | LCE45 | 100 pF | 50 V | 1.52 W | + 150 C | 0.052911 oz | - 65 C | 1 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | 45 V | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 45 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 50V | 1500W (1.5kW) | 20.6A | 72.7V | 72.7 V | 45V | 1 | TVS 二极管 | 45 V | 100pF @ 1MHz | 1500 W | 50 V | 72.7 V | 55.3 V | ESD Suppressors / TVS Diodes | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMCJ5.0CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | 2 | DO-214AB (SMCJ) | 微芯片技术 | Microchip | 微芯片技术 | N | - | Military grade | Bulk | 活跃 | SMCJ5.0 | DO-214AB | 1500 W | 表面贴装 | Bi-Directional | 6.4 V | 1.56 W | + 150 C | - | 0.009065 oz | - 65 C | 1 | 163 A | 1.5 kW | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 5 V | SMD/SMT | 5 V | 双向 | Single | 1 Channel | 无 | 6.4V | 1500W (1.5kW) | 163A | 9.2V | 9.2 V | 5V | 10 mA | TVS 二极管 | 1 | - | Military | 有 | ESD Suppressors / TVS Diodes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCJ110A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | YES | 2 | DO-214AB (SMCJ) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 微芯片技术 | N | PLASTIC, SMCJ, 2 PIN | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MASMCJ110A | 1.56 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.49 | DO-214AB | Bulk | 活跃 | SMCJ110 | 122 V | 1.56 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 8.4 A | 1.5 kW | Microchip | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | 110 V | DUAL | J BEND | 未说明 | unknown | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | 110 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 122V | 1500W (1.5kW) | 8.4A | 177V | 177 V | 110V | 1 | TVS 二极管 | 110 V | DO-214AB | - | 1500 W | 122 V | 135 V | ESD Suppressors / TVS Diodes | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMBJ8.5A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-214AA, SMB | YES | 2 | SMBJ (DO-214AA) | SILICON | 2 | Microchip | 微芯片技术 | 微芯片技术 | N | R-PDSO-C2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MASMBJ8.5A | 1.38 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 9.92 V | 5.5 | DO-214AA | SMBJ8.5 | 活跃 | Bulk | 9.44 V | 1.38 W | + 150 C | 0.003527 oz | - 65 C | 1 | 41.7 A | 600 W | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | 8.5 V | DUAL | C 弯管 | 未说明 | not_compliant | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 8.5 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 9.44V | 600W | 41.7A | 14.4V | 14.4 V | 8.5V | 1 | TVS 二极管 | 8.5 V | DO-214AA | - | 600 W | 9.44 V | 14.4 V | 10.4 V | ESD Suppressors / TVS Diodes | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD15KP45AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 非标准 SMD | YES | 2 | PLAD | SILICON | 1 | 2.5 W | + 150 C | - | 0.077603 oz | 微芯片技术 | - 55 C | 1 | 207 A | 15 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | - | S-PSSO-G1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 有 | MAPLAD15KP45AE3 | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | Military grade | 活跃 | Bulk | PLAD15 | PLAD | 15000 W | Uni-Directional | 表面贴装 | 50 V | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | 45 V | SINGLE | 鸥翼 | 260 | compliant | 40 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 不合格 | 45 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 50V | 15000W (15kW) | 207A | 72.7V | 72.7 V | 45V | 5 mA | 1 | TVS 二极管 | 45 V | - | Military | 15000 W | 有 | 50 V | 55.3 V | 2 V | ESD Suppressors / TVS Diodes | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMBJ60AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-214AA, SMB | YES | 2 | SMBJ (DO-214AA) | SILICON | 2 | 表面贴装 | 6.67 V | 1.38 W | + 150 C | - | 0.003527 oz | 微芯片技术 | - 65 C | 1 | 58.3 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | Details | R-PDSO-J2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | MSMBJ60AE3 | 1.38 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.57 | DO-214AA | Military grade | 活跃 | Bulk | SMBJ60 | DO-214AA | 600 W | Uni-Directional | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | 60 V | DUAL | J BEND | 未说明 | not_compliant | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | 60 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 66.7V | 600W | 6.2A | 96.8V | 10.3 V | 60V | 10 mA | 1 | TVS 二极管 | 60 V | DO-214AA | - | Military | 600 W | 有 | 66.7 V | 73.7 V | ESD Suppressors / TVS Diodes | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MA5KP7.0A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | DO-204AR, Axial | NO | 2 | DO-204AR | SILICON | 2 | 微芯片技术 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MA5KP7.0A | 1.56 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.41 | DO-204 | Military grade | 5KP7.0 | 活跃 | Bulk | Case 5A | 5000 W | Uni-Directional | 通孔 | 0.049384 oz | 1 | Microchip | 微芯片技术 | N | PLASTIC, 5A, 2 PIN | 长式 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | unknown | MIL-19500 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | UNIDIRECTIONAL | Single | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 7.78V | 5000W (5kW) | 417A | 12V | 7V | 5 mA | 1 | TVS 二极管 | 7 V | DO-204AR | - | Military | 5000 W | 有 | 7.78 V | 8.6 V | ESD Suppressors / TVS Diodes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MALCE120A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | DO-201AA, DO-27, Axial | CASE-1 | 微芯片技术 | LCE120 | 90 pF | 133 V | 1.52 W | + 150 C | 0.052911 oz | - 65 C | 1 | N | 微芯片技术 | Microchip | 1.5 kW | 7.8 A | 活跃 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 120 V | Axial | 120 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 133V | 1500W (1.5kW) | 7.8A | 193V | 193 V | 120V | 1 | TVS 二极管 | 90pF @ 1MHz | ESD Suppressors / TVS Diodes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N5650A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | DO-13 | 2 | DO-13 (DO-202AA) | 微芯片技术 | Microchip / Microsemi | Bulk | 活跃 | Non-Compliant | 43.6 V | 1 | 1.5 kW | Microchip | -65°C ~ 175°C (TA) | Military, MIL-PRF-19500/500 | Production (Last Updated: 1 month ago) | Zener | 175 °C | -65 °C | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | Single | 无 | 48.5V | 1500W (1.5kW) | 21.4A | 5 µA | 70.1V | 70.1 V | 43.6V | 21.4 A | 1.5 kW | 单向 | 1 mA | 1 | TVS 二极管 | - | 48.5 V | ESD Suppressors / TVS Diodes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPLAD36KP130CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | PLAD-2 | PLAD | 微芯片技术 | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | PLAD36 | 活跃 | N | 144 V | 36 kW | - | - | 173 A | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | MPLAD | Zener | 通用型 | 130 V | SMD/SMT | 130 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 144V | 36000W (36kW) | 173A | 209V | 209 V | 130V | 1 | - | 4 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD30KP90CAe3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | PLAD-2 | 2 | PLAD | 微芯片技术 | Military grade | Details | 100 V | 30 kW | - | - | 204 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | 0.070548 oz | PLAD | 250 W | Bi-Directional | 表面贴装 | Bulk | PLAD30 | 活跃 | -55 to 150 °C | Bulk | MA | Zener | 通用型 | 90 V | SMD/SMT | 90 V | 双向 | Single | 1 Channel | 无 | 100V | 30000W (30kW) | 204A | 146V | 146 V | 90V | 5 mA | 1 | - | Military | 有 | 4 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCJ20CAe3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-214AB-2 | YES | 2 | DO-214AB (SMCJ) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMCJ20CAE3 | 1.56 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.4 | DO-214AB | Details | 22.2 V | 1.5 kW | 46.3 A | - 65 C | + 150 C | 1.56 W | 1 | 0.009065 oz | Bulk | SMCJ20 | 活跃 | R-PDSO-J2 | 小概要 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | 20 V | DUAL | J BEND | 260 | compliant | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | 20 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 22.2V | 1500W (1.5kW) | 46.3A | 32.4V | 32.4 V | 20V | 1 | 20 V | DO-214AB | - | 1500 W | 22.2 V | 24.5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMLJ120CAe3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-214AB-2 | YES | 2 | DO-214AB | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMLJ120CAE3 | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.49 | DO-214AB | Details | 133 V | 3 kW | 15.6 A | - 65 C | + 150 C | 1.61 W | 1 | 0.008818 oz | Bulk | SMLJ120 | 活跃 | R-PDSO-C2 | 小概要 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | 120 V | DUAL | J BEND | 260 | compliant | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 120 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 133V | 3000W (3kW) | 15.6A | 193V | 193 V | 120V | 1 | 120 V | DO-214AB | - | 3000 W | 133 V | 147 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD6.5KP13CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | PLAD-2 | YES | Mini-PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | 活跃 | 5.6 | MICROSEMI CORP | 活跃 | 1 | SQUARE | 2.5 W | MAPLAD6.5KP13CA | 无 | 150 °C | 未说明 | -55 °C | PLASTIC/EPOXY | 小概要 | S-PSSO-G1 | N | 14.4 V | 6.5 kW | - | - | 1 | 2.5 W | + 150 C | - 55 C | 302 A | Bulk | PLAD6.5 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | MA | e0 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | 160 V | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | compliant | AEC-Q101; MIL-19500 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 13 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | CATHODE | 无 | 14.4V | 6500W (6.5kW) | 302A | 21.5V | 21.5 V | 13V | 1 | 13 V | - | 6500 W | 14.4 V | 15.9 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPLAD30KP17CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | PLAD-2 | YES | 2 | PLAD | SILICON | 1 | - | 1.041 kA | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | 0.077603 oz | PLAD | 微芯片技术 | 250 W | Bi-Directional | 表面贴装 | Bulk | PLAD30 | 活跃 | 17 V | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 未说明 | 150 °C | 有 | MPLAD30KP17CAE3 | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 19.9 V | 5.58 | Military grade | Details | 18.9 V | 30 kW | - | -55 to 150 °C | Bulk | MPLAD | e3 | 有 | Production (Last Updated: 2 months ago) | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 150 °C | -55 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | 17 V | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | compliant | MIL-19500 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 不合格 | 17 V | 双向 | Single | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | CATHODE | 无 | 18.9V | 30000W (30kW) | 1041A (1.041kA) | 150 µA | 28.8V | 28.8 V | 17V | 1.041 kA | 30 kW | 双向 | 5 mA | 1 | 17 V | - | Military | 30000 W | 有 | 18.9 V | 1 | 28.8 V | 20.9 V | 18.9 V | 4 V | ||||||||||||
![]() | MAPLAD30KP14A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | PLAD-2 | YES | 2 | PLAD | SILICON | 1 | 2.5 W | 1 | 0.070548 oz | PLAD | 微芯片技术 | 250 W | Uni-Directional | 表面贴装 | Bulk | PLAD30 | 活跃 | 5.6 | S-PSSO-G1 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MAPLAD30KP14A | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | Military grade | N | 15.6 V | 30 kW | - | - | 1.251 kA | - 55 C | + 150 C | -55 to 150 °C | Bulk | MA | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | 14 V | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | not_compliant | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 不合格 | 14 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 15.6V | 30000W (30kW) | 1251A (1.251kA) | 24V | 24 V | 14V | 1 | 14 V | - | Military | 30000 W | 有 | 15.6 V | 17.2 V | 4 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAP4KE22Ae3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | DO-2024-2 | DO-204AL (DO-41) | 微芯片技术 | 活跃 | Details | 20.9 V | 400 W | 13 A | - 65 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | P4KE22 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | 18.8 V | Axial | 18.8 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 20.9V | 400W | 13A | 30.6V | 30.6 V | 18.8V | 1 | - | 3.5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMBJ120A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-214AA-2 | 2 | SMBJ (DO-214AA) | 微芯片技术 | Military grade | 0.003527 oz | 1 | 1.38 W | + 150 C | - 65 C | 3.1 A | - | - | 600 W | 133 V | N | 表面贴装 | DO-214AA | 600 W | Uni-Directional | Bulk | SMBJ120 | 活跃 | -65 to 150 °C | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | 120 V | SMD/SMT | 120 V | 单向 | Single | 1 Channel | 无 | 133V | 600W | 3.1A | 193V | 193 V | 120V | 1 mA | 1 | - | Military | 有 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCJLCE45A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-214AB-2 | YES | 2 | DO-214AB (SMCJ) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | SMCJLCE45 | 活跃 | PLASTIC PACKAGE-2 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MASMCJLCE45A | 5 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.24 | DO-214AB | N | 50 V | 1.5 kW | 8 kV | 15 kV | 100 pF | 20.6 A | - 65 C | + 150 C | 5 W | 1 | 0.009065 oz | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | 45 V | DUAL | C 弯管 | 未说明 | unknown | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 45 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 50V | 1500W (1.5kW) | 20.6A | 72.7V | 72.7 V | 45V | 1 | 45 V | DO-214AB | 100pF @ 1MHz | 1500 W | 50 V | 55.3 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD6.5KP22CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | PLAD-2 | YES | Mini-PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | 活跃 | S-PSSO-G1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 未说明 | 150 °C | 无 | MAPLAD6.5KP22CA | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.6 | N | 24.4 V | 6.5 kW | - | - | 183 A | 1 | 2.5 W | + 150 C | - 55 C | Bulk | PLAD6.5 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | MA | e0 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | 24 V | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | compliant | AEC-Q101; MIL-19500 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 22 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | CATHODE | 无 | 24.4V | 6500W (6.5kW) | 183A | 35.5V | 35.5 V | 22V | 1 | 22 V | - | 6500 W | 24.4 V | 26.9 V |
MSMLG7.0AE3
Microchip Technology
分类:TVS - Diodes
MASMBG90CAE3
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分类:TVS - Diodes
MSMCJ110CA
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分类:TVS - Diodes
MASMCJ75AE3
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分类:TVS - Diodes
MASMCJ85AE3
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分类:TVS - Diodes
MALCE45AE3
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分类:TVS - Diodes
MSMCJ5.0CA
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分类:TVS - Diodes
MASMCJ110A
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分类:TVS - Diodes
MASMBJ8.5A
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分类:TVS - Diodes
MAPLAD15KP45AE3
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MSMBJ60AE3
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MAPLAD30KP90CAe3
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MASMCJ20CAe3
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MASMLJ120CAe3
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分类:TVS - Diodes
MSMBJ120A
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MASMCJLCE45A
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MAPLAD6.5KP22CA
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分类:TVS - Diodes
