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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 工作电源电流 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 逻辑功能 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间(最大) | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 输出启用 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 自我刷新 | 供应电流 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 器件厚度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | THGBM5G5A1JBAIR | Toshiba | 数据表 | 10000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 153 | Compliant | FLASH, NAND | 85 °C | -25 °C | 200 MHz | 3.3 V | 3.6 V | 1.7 V | 4 GB | 32 Gb | Synchronous | 1 mm | 无 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BQ2026LPR | Texas Instruments | 数据表 | 10000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 6 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) | Tin | 通孔 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | NO | 3 | 453.59237mg | Non-Volatile | -20°C~70°C TA | Cut Tape (CT) | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | 2.65V~5.5V | BOTTOM | 1 | 1.27mm | BQ2026 | 5.5V | 2.65V | Serial | 1.5K 6 pagesx32bytes | 2μA | 20μA | 0.01667MHz | OR | EPROM | 单线 | 1.5KX1 | OPEN-DRAIN | 1.5 kb | COMMON | 5.34mm | 4.3mm | 4.3mm | 3.6mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT45DB081D-MU-2.5 | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tray | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | 哑光锡 | ORGANIZED AS 4096 PAGES OF 264 BYTES EACH | 2.5V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 2.7V | 1.27mm | 40 | 8 | 3.6V | 3/3.3V | 2.5V | SPI, Serial | 8Mb 264Bytes x 4096 pages | 15mA | 50MHz | 8 ns | FLASH | SPI | 8b | 1 | 4ms | 1b | 8 Mb | 0.000025A | Synchronous | 2.7V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 256B | 1mm | 6mm | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R1LV0816ASB-5SI#B0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2009 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 44 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 0.8mm | 1MHz | R1LV0816A | 44 | 3V | 3.6V | 2.4V | 8Mb 512K x 16 | 1 | 35mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 55ns | 19b | 8 Mb | 0.000004A | 55 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 1mm | 18.51mm | 10.26mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IS42S16400F-6TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | 5 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 54 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 10 | 54 | 3.3V | 3.6V | 3V | 64Mb 4M x 16 | 1 | 130mA | 130mA | 166MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 16b | 4MX16 | 3-STATE | 16 | 14b | 64 Mb | 0.002A | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 22.22mm | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M27W201-80K6 | STMicroelectronics | 数据表 | 22 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | 32 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | ACCESS TIME 70 NANO SECS AT VCC 3V TO 3.6V | 2.7V~3.6V | QUAD | 未说明 | 1 | 3V | 1.27mm | 80GHz | 未说明 | M27W201 | 32 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 2Mb 256K x 8 | 50mA | 50mA | ASYNCHRONOUS | 80ns | EPROM | Parallel | 256KX8 | 3-STATE | 8 | 2 Mb | 0.000015A | COMMON | 3.56mm | 13.97mm | 11.43mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MX30LF4G28AB-TI | Macronix | 数据表 | 96800 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2014 | MX30LF | 不用于新设计 | 3 (168 Hours) | 48 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 0.5mm | 未说明 | R-PDSO-G48 | 3.6V | 2.7V | 4Gb 512M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 512MX8 | 8 | 20ns | 4294967296 bit | 2.7V | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JS28F640J3F75B | Micron | 数据表 | 535 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | EOL (Last Updated: 2 years ago) | Gold, Tin | 56 | NOR | 表面贴装 | Compliant | FLASH, NOR | 85C | Industrial | TSOP | -40C to 85C | Parallel/Serial | 8M/4M | 23/22(b) | 3.6(V) | 3/3.3(V) | 无 | 2.7(V) | -40C | 有 | 卷带 | 85 °C | -40 °C | 56 | 2.7 V | Parallel, Serial | 3.6 V | 2.7 V | 54 mA | 75 ns | 67108864(Bit) | 75(ns) | Asynchronous | 8/16(b) | 54(mA) | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY15B256J-SXA | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 130 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2008 | F-RAM™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | 2V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 1.27mm | 3.3V | 3.6V | 2V | 2-Wire, I2C, Serial | 256Kb 32K x 8 | SYNCHRONOUS | 3.4MHz | 130ns | FRAM | I2C | 8b | 8 | 256 kb | 1.727mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST38VF6402BT-70I/TV | Microchip Technology | 数据表 | 10 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | SST38 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | Matte Tin (Sn) - annealed | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 40 | SST38VF6402 | 3.3V | 3.6V | 2.7V | 64Mb 4M x 16 | 0.05mA | 70ns | FLASH | Parallel | 4MX16 | 16 | 10μs | 22b | 64 Mb | 0.00004A | 2.7V | YES | YES | NO | 128 | 32K | 16B | YES | TOP | YES | 1.2mm | 18.4mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST25VF020A-25-4C-ZAE | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UFBGA, CSPBGA | 8 | 8-CSP | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | SST25 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 70°C | 0°C | 2.7V~3.6V | 25MHz | SST25VF020 | 3.3V | SPI, Serial | 3.6V | 2.7V | 2Mb 256K x 8 | 10mA | 25MHz | 23 ns | FLASH | SPI | 8b | 18b | 2 Mb | 25MHz | Synchronous | 8b | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S29PL032J70BAW120 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 12245 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-VFBGA | 48 | Non-Volatile | -25°C~85°C TA | Tray | 2015 | PL-J | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | Tin/Lead (Sn/Pb) | 上下靴块 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 240 | 1 | 3V | 0.8mm | 30 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 32Mb 2M x 16 | 55mA | FLASH | Parallel | 16b | 2MX16 | 16 | 70ns | 21b | 32 Mb | 0.000005A | 70 ns | Asynchronous | 16b | 3V | YES | YES | YES | 1662 | 4K32K | 8words | YES | BOTTOM/TOP | YES | 1mm | 8.15mm | 无 | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT93C56-10PC-2.7 | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT28C010E-12LM/883 | Microchip Technology | 数据表 | 500 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Lead, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-CLCC | 44 | Non-Volatile | Military grade | -55°C~125°C TC | Tube | 1998 | e0 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 44 | 3A001.A.2.C | 锡铅 | AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION: 10 YEARS | 8542.32.00.51 | 4.5V~5.5V | QUAD | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | not_compliant | 120GHz | 未说明 | AT28C010 | 不合格 | 5V | 5V | 1Mb 128K x 8 | 80mA | ASYNCHRONOUS | 120ns | EEPROM | Parallel | 128KX8 | 3-STATE | 8 | 10ms | 1 Mb | 0.0003A | MIL-STD-883 | 5V | 100000 Write/Erase Cycles | 10ms | YES | YES | NO | 128words | 2.74mm | 16.55mm | 16.55mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IS41LV16100B-50TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | 465 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | e3 | yes | Obsolete | 2 (1 Year) | 44 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | 8542.32.00.02 | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 10 | 50 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3V | 16Mb 1M x 16 | 1 | 180mA | ASYNCHRONOUS | 25ns | DRAM | Parallel | 16b | 1MX16 | 3-STATE | 16 | 10b | 16 Mb | 0.002A | COMMON | 1024 | NO | 1.2mm | 20.95mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IS42S16100C1-7TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | 2979 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 50-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 50 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e3 | Obsolete | 2 (1 Year) | 50 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.02 | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 40 | 50 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3V | 16Mb 1M x 16 | 1 | 150mA | SYNCHRONOUS | 143MHz | 5.5ns | DRAM | Parallel | 16b | 1MX16 | 3-STATE | 16 | 12b | 16 Mb | 0.003A | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 20.95mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT45DB161E-MHF-T | Adesto Technologies | 数据表 | 50 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tape & Reel (TR) | 1997 | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2.3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | 不合格 | 3.6V | 2.5/3.3V | 2.3V | SPI, Serial | 16Mb 528Bytes x 4096 pages | 26mA | 85MHz | 6 ns | FLASH | SPI | 8b | 16MX1 | 1 | 8μs, 4ms | 21b | 16 Mb | 0.00001A | Synchronous | 2.7V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 512B | 0.6mm | 6mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IS42S16160J-6BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | 12300 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 54-TFBGA | Volatile | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 3V~3.6V | 256Mb 16M x 16 | 166MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C185-35VC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 194 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width) | YES | 28 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 1996 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 28 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | AUTOMATIC POWER-DOWN | 4.5V~5.5V | DUAL | 220 | 1 | 5V | not_compliant | 35GHz | 未说明 | CY7C185 | 28 | 不合格 | 5V | 5V | 64Kb 8K x 8 | 1 | SRAM | Parallel | 8KX8 | 3-STATE | 8 | 35ns | 13b | 64 kb | 35 ns | COMMON | YES | 3.556mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT25160AN-10SQ-2.7 | Atmel | 数据表 | 9351 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 8 | 125 °C | 有 | AT25160AN-10SQ-2.7 | 5 MHz | 2048 words | 5 V | SOP | RECTANGULAR | Atmel Corporation | Obsolete | ATMEL CORP | 5.71 | SOIC | 0.150 INCH, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 | 小概要 | 1 | 2000 | PLASTIC/EPOXY | SOP8,.25 | -40 °C | 40 | e3 | 有 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.51 | EEPROMs | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 1.27 mm | unknown | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5 V | 3/5 V | AUTOMOTIVE | 2.7 V | SYNCHRONOUS | 0.007 mA | 2KX8 | 1.75 mm | 8 | 0.00001 A | 16384 bit | SERIAL | EEPROM | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5 ms | 100 | HARDWARE/SOFTWARE | 4.9 mm | 3.9 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU9847GUL-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | 50 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-UFBGA, CSPBGA | 6 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2012 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1.7V~5.5V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 2.5V | 0.5mm | 未说明 | 6 | 不合格 | 5.5V | 1.8/5V | 1.7V | 2-Wire, I2C, Serial | 4Kb 512 x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | EEPROM | I2C | 512X8 | 8 | 5ms | 4 kb | 0.000002A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1010D0MR | 0.55mm | 1.95mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IS62WV1288BLL-55QLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | 2000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-SOIC (0.445, 11.30mm Width) | 32 | Volatile | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | e3 | yes | 活跃 | 2 (1 Year) | 32 | EAR99 | 哑光锡 | 2.5V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 40 | 32 | 3.3V | 3.6V | 2.5V | 1Mb 128K x 8 | 1 | 8mA | SRAM | Parallel | 8 | 55ns | 17b | 1 Mb | 55 ns | Asynchronous | 8b | 3mm | 20.445mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IS62C25616BL-45TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 44 | Volatile | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tray | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.8mm | 40 | 44 | 5V | 5V | 4Mb 256K x 16 | 1 | 20mA | 20mA | SRAM | Parallel | 32KX8 | 3-STATE | 8 | 45ns | 18b | 4 Mb | 45 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 2V | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MX25L6433FXCI-08G | Macronix | 数据表 | 45 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 24-TBGA, CSPBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2017 | MXSMIO™ | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | ALSO IT CAN BE CONFIGURED AS 64M X 1 BIT | 2.65V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 1mm | 40 | R-PBGA-B24 | 3.6V | 2.65V | 64Mb 8M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 16MX4 | 4 | 50μs, 1.2ms | 67108864 bit | SERIAL | 3V | 2 | 1.2mm | 8mm | 6mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C1514AV18-250BZC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 2416 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 220 | 1 | 1.8V | 1mm | not_compliant | 未说明 | CY7C1514 | 165 | 不合格 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 72Mb 2M x 36 | 2 | 1.1A | 250MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 36 | 20b | 72 Mb | SEPARATE | Synchronous | 36b | 1.7V | 1.4mm | 17mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 |
THGBM5G5A1JBAIR
Toshiba
分类:Memory
BQ2026LPR
Texas Instruments
分类:Memory
AT45DB081D-MU-2.5
Adesto Technologies
分类:Memory
R1LV0816ASB-5SI#B0
Renesas Electronics America
分类:Memory
IS42S16400F-6TL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
分类:Memory
M27W201-80K6
STMicroelectronics
分类:Memory
MX30LF4G28AB-TI
Macronix
分类:Memory
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Micron
分类:Memory
CY15B256J-SXA
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
SST38VF6402BT-70I/TV
Microchip Technology
分类:Memory
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Microchip Technology
分类:Memory
S29PL032J70BAW120
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
AT93C56-10PC-2.7
Atmel
分类:Memory
AT28C010E-12LM/883
Microchip Technology
分类:Memory
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
分类:Memory
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
分类:Memory
AT45DB161E-MHF-T
Adesto Technologies
分类:Memory
IS42S16160J-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
分类:Memory
CY7C185-35VC
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
AT25160AN-10SQ-2.7
Atmel
分类:Memory
BU9847GUL-WE2
ROHM Semiconductor
分类:Memory
IS62WV1288BLL-55QLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
分类:Memory
IS62C25616BL-45TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
分类:Memory
MX25L6433FXCI-08G
Macronix
分类:Memory
CY7C1514AV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
