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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	界面	内存大小	端口的数量	电源电流	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	内存格式	内存接口	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	待机电流-最大值	记忆密度	并行/串行	同步/异步	内存IC类型	编程电压	待机电压-最小值	备用内存宽度	数据轮询	拨动位
IS61QDB22M18-250M3L	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	数据表	10800 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	165-LBGA	165				Volatile	0°C~70°C TA	Tray			e1	yes	Discontinued	2 (1 Year)	165			Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构				1.71V~1.89V	BOTTOM		260	1	1.8V	1mm			40		165			1.8V	1.89V			1.71V		36Mb 2M x 18	2	700mA		250MHz		7.5ns	SRAM	Parallel			3-STATE		18		20b		36 Mb						SEPARATE	Synchronous	18b					1.71V									1.7mm	17mm		无	Non-RoHS Compliant
IS43TR16256AL-107MBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	96-TFBGA	YES				Volatile	-40°C~95°C TC	Tray					活跃	3 (168 Hours)	96						PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH				1.283V~1.45V	BOTTOM		未说明	1	1.35V	0.8mm			未说明			R-PBGA-B96			1.45V			1.283V		4Gb 256M x 16	1		SYNCHRONOUS	933MHz		20ns	DRAM	Parallel		256MX16			16	15ns					4294967296 bit																				1.2mm	13mm	9mm		ROHS3 Compliant
MX25L3233FMI-08G	Macronix	数据表	26780 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)	YES				Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tube		MXSMIO™			活跃	3 (168 Hours)	16						ALSO IT CAN BE CONFIGURED AS 32M X 1 BIT				2.65V~3.6V	DUAL		未说明	1	3V	1.27mm			未说明			R-PDSO-G16			3.6V			2.65V		32Mb 8M x 4			SYNCHRONOUS	133MHz			FLASH	SPI - Quad I/O		8MX4			4	50μs, 1.2ms					33554432 bit			SERIAL					3V				2								2.65mm	10.3mm	7.52mm		ROHS3 Compliant	无铅
M29F400BT70N6	STMicroelectronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
CY7C109B-12ZXCT	Cypress Semiconductor Corp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)	YES	Volatile					0°C~70°C TA	Tape & Reel (TR)	2006		e3		Obsolete	3 (168 Hours)	32	3A991.B.2.B		TIN				8542.32.00.41			4.5V~5.5V	DUAL			1	5V	0.5mm	unknown	12GHz		CY7C109	32	R-PDSO-G32	不合格		5.5V			4.5V		1Mb 128K x 8							SRAM	Parallel		128KX8			8	12ns					1048576 bit		12 ns																		1.2mm	18.4mm	8mm		ROHS3 Compliant	无铅
CY62137CVSL-70BAXIT	Cypress Semiconductor Corp	数据表	4000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	48-TFBGA	YES	Volatile					-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2002	MoBL®			Obsolete	3 (168 Hours)	48	3A991.B.2.A						8542.32.00.41			2.7V~3.6V	BOTTOM			1	3V	0.75mm	unknown			CY62137	48	S-PBGA-B48	不合格		3.6V			2.7V		2Mb 128K x 16							SRAM	Parallel		128KX16			16	70ns					2097152 bit		70 ns																		1.2mm	7mm	7mm		ROHS3 Compliant	无铅
S25FS256SAGMFB003	Cypress Semiconductor Corp	数据表	2000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	表面贴装	16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)	YES				Non-Volatile	-40°C~105°C TA	Tape & Reel (TR)		Automotive, AEC-Q100, FS-S			活跃	3 (168 Hours)	16						ALSO CONFIGURABLE AS 256MX1	8542.32.00.51			1.7V~2V	DUAL		未说明	1	1.8V	1.27mm			未说明			R-PDSO-G16			2V			1.7V		256Mb 32M x 8			SYNCHRONOUS	133MHz			FLASH	SPI - Quad I/O, QPI		64MX4			4						268435456 bit			SERIAL					1.8V				2								2.65mm	10.3mm	7.5mm		ROHS3 Compliant
S29GL064N11TAIV20	Cypress Semiconductor Corp	数据表	988 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	111 Weeks	TSOP	YES	NOR						Bulk	2015		e0		Obsolete	3 (168 Hours)	56	3A991.B.1.A		Tin/Lead (Sn/Pb)	85°C	-40°C		8542.32.00.51				DUAL	鸥翼	240	1	3V	0.5mm			30			R-PDSO-G56			3.6V	1.8/3.33/3.3V	INDUSTRIAL	2.7V	Parallel						0.05mA					4MX16			16				64 Mb	0.000005A			110 ns						3V				8	YES	YES	128	64K	8/16words	YES		1.2mm	18.4mm	14mm	无	Non-RoHS Compliant
CY7C09369V-9AXC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	47 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	100-LQFP	100				Volatile	0°C~70°C TA	Tray	1997		e4	yes	Obsolete	3 (168 Hours)	100			Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE				3V~3.6V	QUAD		260	1	3.3V	0.5mm			20	CY7C09369	100			3.3V	3.6V			3V		288Kb 16K x 18	2	230mA		67MHz		9ns	SRAM	Parallel		16KX18	3-STATE		18		14b		288 kb						COMMON	Synchronous	18b					3V									1.6mm	14mm		无	ROHS3 Compliant	无铅
CY62157EV30LL-55ZSXET	Cypress Semiconductor Corp	数据表	1000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	表面贴装	44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)	48	Volatile			-40°C~125°C TA	Tape & Reel (TR)	2011	MoBL®	e4	yes	活跃	3 (168 Hours)	44			Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)							2.2V~3.6V	DUAL		260	1	3V	0.8mm			30	CY62157		R-PDSO-G44		3V	3.6V			2.2V		8Mb 512K x 16	1	35mA					SRAM	Parallel			3-STATE		16	55ns	19b		8 Mb	0.00003A			55 ns		COMMON	Asynchronous	16b																	无	ROHS3 Compliant	无铅
AT28C256E-15LM/883-815	Microchip Technology	数据表	2847 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	23 Weeks	表面贴装	32-CLCC	YES	Non-Volatile	Military grade				-55°C~125°C TC	Tube					活跃	3 (168 Hours)	32						自动写入				4.5V~5.5V	QUAD			1	5V	1.27mm						R-CQCC-N32			5.5V			4.5V		256Kb 32K x 8			ASYNCHRONOUS			150ns	EEPROM	Parallel		32KX8			8	10ms					262144 bit	MIL-STD-883 Class C							5V		10ms										2.54mm	13.97mm	11.43mm		ROHS3 Compliant
CY7C1361C-133AJXC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	4 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	表面贴装	100-LQFP	100	Volatile			0°C~70°C TA	Tray	2003		e3	yes	Obsolete	3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A		Matte Tin (Sn)			FLOW-THROUGH ARCHITECTURE				3.135V~3.6V	QUAD		260	1	3.3V	0.65mm			20	CY7C1361	100			3.3V	3.6V			3.135V		9Mb 256K x 36	4	250mA		133MHz		6.5ns	SRAM	Parallel		256KX36	3-STATE		36		18b		9 Mb						COMMON	Synchronous	36b														1.6mm	20mm		无	ROHS3 Compliant	无铅
GS8182D08BD-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II	DDR	Commercial grade							375 MHz	FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 Bit	1.9 V	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 70 °C	Tray		GS8182D08BD							SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													165									18 Mbit					680 mA	0.45				2 M x 8					19 Bit	SRAM			18	Commercial																SRAM
GS8182S08BD-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	N	DDR							有	167 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		Tray		GS8182S08BD							SigmaSIO DDR-II						Memory & Data Storage																						18 Mbit					315 mA					2 M x 8						SRAM																					SRAM
GS8182D08BGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel							200 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT																																							18 Mbit					365 mA					2 M x 8
GS8672D18BGE-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	QDR-II							有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		Tray		GS8672D18BGE							SigmaQuad-II						Memory & Data Storage																						72 Mbit					850 mA					4 M x 18						SRAM			72																		SRAM
GS8161Z18DGT-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5.5 ns	70 °C	有	GS8161Z18DGT-250V	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	QFP	Commercial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	0 to 85 °C									3A991.B.2.B					ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41		CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1		0.65 mm	compliant				100	R-PQFP-G100			2 V		COMMERCIAL	1.7 V		18 Mbit	2		SYNCHRONOUS		205 mA, 225 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined	1 M x 18		1.6 mm	18		20 Bit	18 Mbit		18874368 bit	Commercial		PARALLEL			ZBT SRAM							20 mm	14 mm
GS832218AB-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	Synchronous	2 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	未说明	4.5 ns	70 °C	无	GS832218AB-333	333 MHz	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.11	BGA	333 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				222@Flow-Through/333@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	0 to 85 °C			GS832218AB	e0	无				3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)			ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1.27 mm	compliant				119	R-PBGA-B119	不合格		2.7 V	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	2.3 V		36 Mbit	2		SYNCHRONOUS		0.3 mA	4.5 ns			Flow-Through/Pipelined	2MX18	3-STATE	1.99 mm	18	21 Bit		36 Mbit	0.03 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON		缓存SRAM		2.3 V						22 mm	14 mm
GS88236CB-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	119	SyncBurst	SDR	BGA,	网格排列	256000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	无	GS88236CB-200I	262144 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.13	BGA				有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	42	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray		GS88236CB	e0	无				3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)			PIPELINED/FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1.27 mm	compliant				119	R-PBGA-B119	不合格		2.7 V		INDUSTRIAL	2.3 V		9 Mbit			SYNCHRONOUS		160 mA, 190 mA	6.5 ns				256 k x 36		1.77 mm	36			SRAM			9437184 bit		PARALLEL				缓存SRAM							SRAM	22 mm	14 mm
24LC65T-I/SMG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	8						5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIJ-8	小概要	1	8000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	40	85 °C	有	24LC65T-I/SMG	0.1 MHz	8192 words	5 V	SOP	RECTANGULAR	Microchip Technology Inc	活跃	MICROCHIP TECHNOLOGY INC	5.16	SOIC					e3	有				EAR99		Matte Tin (Sn)				8542.32.00.51		CMOS		DUAL	鸥翼	260	1		1.27 mm	compliant				8	R-PDSO-G8	不合格		6 V		INDUSTRIAL	2.5 V					SYNCHRONOUS							8KX8		2.03 mm	8						65536 bit			SERIAL				EEPROM		I2C	5 ms									5.245 mm	5.23 mm
GS8161Z36DD-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	Commercial grade							181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 to 85 °C	Tray		GS8161Z36DD							NBT						Memory & Data Storage													165									18 Mbit	4				225 mA, 245 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined	512 k x 36					19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial															SRAM
GS8322Z36AGB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	0 C	14	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Commercial grade							181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 to 85 °C	Tray		GS8322Z36AGB							NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													119									36 Mbit	4				230 mA, 285 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined	1 M x 36					20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial															SRAM
GS8162Z36DD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	Industrial grade							153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	-40 to 100 °C	Tray		GS8162Z36DD							NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													165									18 Mbit	4				230 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined	512 k x 36					19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial															SRAM
GS8672D20BGE-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II							有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C		Tray		GS8672D20BGE							SigmaQuad-II+ B4						Memory & Data Storage																						72 Mbit					1.63 A					4 M x 18						SRAM			72																		SRAM
GS8321Z36AD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	165	活跃	GSI TECHNOLOGY	4.78	BGA	Industrial grade					2.7, 3.6 V	36 Bit	2.3, 3 V	2.5, 3.3 V	FBGA	153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	无	GS8321Z36AD-200I	1048576 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	-40 to 100 °C				e0	无				3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)			IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE			CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant				165	R-PBGA-B165	不合格		2.7 V			2.3 V					SYNCHRONOUS			6.5@Flow-Through/3@P				1MX36		1.4 mm	36						36	Industrial		PARALLEL				ZBT SRAM											15 mm	13 mm