类别是'category.门驱动器 ICs' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | HTS代码 | 子类别 | 最大功率耗散 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 输出的数量 | 资历状况 | 输出电压 | 最大输出电流 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 通道数量 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 工作电源电流 | 电源电流 | 功率耗散 | 输出电流 | 最大电源电流 | 输出电流 | 传播延迟 | 输入类型 | 接通延迟时间 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 上升时间 | 下降时间(典型值) | 输出极性 | 输入特性 | 上升/下降时间(Typ) | 接口IC类型 | 信道型 | 驱动器数量 | 接通时间 | 输出峰值电流限制-名 | 闸门类型 | 峰值输出电流(源极,漏极) | 高边驱动器 | 关断时间 | 内置保护器 | 高压侧电压-最大值(自举) | 输出电流流向 | 电源电压1-最小值 | 电源电压1-最大值 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 器件厚度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | UC2707N | Texas Instruments | 数据表 | 140 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 6 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) | 通孔 | 通孔 | 16-DIP (0.300, 7.62mm) | 16 | 1.053808g | Low-Side | 0.8V 2.2V | 180 ns | -25°C~85°C TA | Tube | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 16 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 2W | 5V~40V | DUAL | 2 | 20V | UC2707 | 16 | 1.5A | 20V | 15mA | 2W | 15mA | Inverting, Non-Inverting | TOTEM-POLE | 60ns | 65 ns | 真倒 | STANDARD | 40ns 40ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Independent | 2 | 0.05 µs | 1.5A | N-Channel MOSFET | 1.5A 1.5A | NO | 0.065 µs | 5.08mm | 19.3mm | 6.35mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IX2204NE | IXYS Integrated Circuits Division | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 9 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Low-Side | 0.8V 2V | -55°C~150°C TJ | Tube | 2014 | Obsolete | 1 (Unlimited) | -10V~25V | IX2204 | 4A | Non-Inverting | - 8ns | Independent | 2 | IGBT | 2A 4A | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LT1161IN | Analog Devices, Inc. | 数据表 | 4391 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | N | NO | 20 | 200 μs | e0 | 1 (Unlimited) | 20 | EAR99 | 85°C | -40°C | DUAL | THROUGH-HOLE | 4 | 24V | 24V | 48V | 8V | 400 μs | TRUE | GATED | 4 | YES | 26.92mm | 7.62mm | 无 | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC1427CPAG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | NO | Low-Side | 0.8V 3V | 0°C~70°C TA | Tube | 2002 | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~16V | DUAL | 未说明 | 2 | 未说明 | TC1427 | 8 | R-PDIP-T8 | 不合格 | Non-Inverting | 35ns 25ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Independent | 2 | 1.2A | N-Channel, P-Channel MOSFET | 1.2A 1.2A | YES | 5.08mm | 9.5mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SP0635V2M1-12 | Power Integrations | 数据表 | 2403 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | Module | Module | High-Side or Low-Side | -40°C~85°C TA | Bulk | 2016 | SCALE™-2 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 14.5V~15.5V | 9ns 30ns | Single | 1 | IGBT | 35A 35A | 1200V | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HIP6602BCRZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | 7781 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | VQFN | 16 | 2002 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 85°C | 0°C | QUAD | 无铅 | 260 | 2 | 12V | 0.8mm | 40 | 不合格 | 730mA | 5/1212V | OTHER | 13.2V | 10.8V | 4mA | 4mA | 730mA | 50ns | 20 ns | 基于半桥的mosfet驱动器 | 4 | 0.73A | YES | 1mm | 5mm | 5mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXDD630MCI | IXYS Integrated Circuits Division | 数据表 | 615 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 11 Weeks | 通孔 | 通孔 | TO-220-5 | TO-220-5 | 3.000003g | Low-Side | 0.8V 3.5V | 100 ns | -55°C~150°C TJ | Tube | 2014 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 125°C | -40°C | 9V~35V | 1 | 9V | 30A | 1 | 35V | 7V | 10μA | 30A | 65 ns | Non-Inverting | 100 ns | 20ns | 18 ns | 11ns 11ns | Single | 1 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 30A 30A | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXDI630CI | IXYS Integrated Circuits Division | 数据表 | 189 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 11 Weeks | 通孔 | 通孔 | TO-220-5 | TO-220-5 | 3.000003g | Low-Side | 0.8V 3.5V | 100 ns | -55°C~150°C TJ | Tube | 2011 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 125°C | -40°C | 12.5V~35V | 1 | 12.5V | 30A | 1 | 35V | 10V | 10μA | 30A | 65 ns | Inverting | 100 ns | 20ns | 18 ns | 11ns 11ns | Single | 1 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 30A 30A | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RT9625AZQW | Richtek USA Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 16-WQFN Exposed Pad | 16 | Half-Bridge | 0.7V 3.2V | -40°C~125°C TJ | Cut Tape (CT) | 2013 | Discontinued | 3 (168 Hours) | 16 | EAR99 | 4.5V~13.2V | QUAD | 无铅 | 12V | 0.635mm | 不合格 | 12V | Inverting, Non-Inverting | 25ns 12ns | Synchronous | 4 | N-Channel MOSFET | 15V | Unknown | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IR2113E6 | Infineon Technologies AG | 数据表 | 2370 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 16 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 高低侧 | Non-Inverting | Independent | 35 | 25 | 150 | CMOS|LSTTL | 10 | 20 | 6(Max) | 9.5(Min) | 600(Max) | 2(Min) | 1600 | -55 | 125 | 欠压锁定 | LLCC | LLCC | 表面贴装 | 3.22(Max) | 9.14(Max) | 7.49(Max) | 18 | No Lead | QCCN, LCC18,.3X.35 | CHIP CARRIER | 3 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | LCC18,.3X.35 | -55 °C | 15 V | 未说明 | 10 V | 125 °C | 无 | IR2113E6 | 0.26 µs | QCCN | RECTANGULAR | Infineon Technologies AG | 活跃 | 0.22 µs | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 20 V | 5.53 | e0 | 活跃 | EAR99 | MOSFET|IGBT | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8542.39.00.01 | MOSFET驱动器 | CMOS | QUAD | 无铅 | 未说明 | 1 | 1.27 mm | unknown | 18 | R-CQCC-N16 | 2 | 不合格 | 15 V | MILITARY | 3.22 mm | 基于半桥的mosfet驱动器 | 2 | 2 A | YES | 6 V | 620 V | 8.955 mm | 7.305 mm | RoHS non-compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXDD430YI | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-263-6, D2Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA | 1.59999g | Low-Side | 0.8V 3.5V | -55°C~150°C TJ | Bulk | 2005 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | 2W | 8.5V~35V | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 18V | 未说明 | IXD*430 | 4 | R-PSSO-G5 | 不合格 | 35V | 3mA | 30A | Non-Inverting | 20ns | 18 ns | 18ns 16ns | BUFFER OR INVERTER BASED IGBT/MOSFET DRIVER | Single | 1 | 0.045 µs | 30A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 30A 30A | YES | 0.039 µs | 4.8mm | 9.975mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M57962CL-01 | Powerex Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | 通孔 | 通孔 | 14-SIP Module, 12 Leads | 14 | Low-Side | -20°C~60°C TA | Bulk | 1999 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | 14V~15V | 1 | 15V | 2.54mm | 5A | Non-Inverting | 600ns 400ns | 基于缓冲器或反相器的外设驱动器 | Single | 1 | IGBT | 5A 5A | OVER CURRENT | 水槽 | 25mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | E-L6569D | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tube | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 10V~16.6V | DUAL | 鸥翼 | 1 | 12V | L6569 | 8 | 618V | 25mA | 25mA | 275mA | RC输入电路 | Synchronous | 2 | 0.275A | IGBT, N-Channel MOSFET | 170mA 270mA | YES | 600V | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL2111BR4Z-T | Intersil Corporation | 数据表 | 10 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 8 | 125°C | -40°C | e3 | 2 (1 Year) | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 8542.39.00.01 | DUAL | 无铅 | 260 | 1 | 12V | 0.8mm | compliant | 30 | 10, 12, 8, 8 | S-PDSO-N8 | 14V | AUTOMOTIVE | 8V | 基于半桥的mosfet驱动器 | 0.06 μs | 4A | YES | 0.06 μs | 1mm | 4mm | 4mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXDN514PI | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 599.989307mg | Low-Side | 1V 2.5V | -55°C~150°C TJ | Tube | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 4.5V~30V | DUAL | 未说明 | 1 | 18V | 2.54mm | 未说明 | IXD*514 | 8 | R-PDIP-T8 | 不合格 | 18V | 3mA | Non-Inverting | 40ns | 50 ns | 25ns 22ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Single | 1 | 14A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 14A 14A | NO | 4.57mm | 9.59mm | 7.62mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UCC27423D | Texas Instruments | 数据表 | 78900 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 6 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 72.603129mg | 1V 2V | Low-Side | -40°C~125°C TA | Tube | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 650mW | 4V~15V | DUAL | 鸥翼 | 260 | 2 | 14V | UCC27423 | 8 | 2 | 330mV | 4A | 4.5/15V | 1.35mA | 650mW | 1.35mA | 4A | 150 ns | Inverting | 150 ns | TOTEM-POLE | 40ns | 40 ns | INVERTED | 20ns 15ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Independent | 0.04 µs | 4A | N-Channel, P-Channel MOSFET | 4A 4A | NO | 0.05 µs | 1.75mm | 4.9mm | 3.91mm | 1.58mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HIP2100IR4Z | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | 75 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DFN | 12 | 3.3W | 2001 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 12 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 125°C | -40°C | DUAL | 无铅 | 260 | 1 | 12V | 0.5mm | 30 | 2 | 不合格 | 2A | AUTOMOTIVE | 14V | 9V | 1.5mA | 2.5mA | 2A | 8 ns | 20ns | 10 ns | 基于半桥的mosfet驱动器 | 0.045 µs | 2A | YES | 0.045 µs | 0.9mm | 4mm | 4mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL2101AABZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | SOIC | 8 | 2.27W | 6 ns | 2001 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 125°C | -40°C | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 12V | 30 | 不合格 | 2A | AUTOMOTIVE | 114V | 9V | 2.5mA | 2.5mA | 2A | 8 ns | 600ns | 600 ns | 基于半桥的mosfet驱动器 | 2 | 0.06 μs | YES | 0.06 μs | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ADP3415LRM-REEL | Analog Devices, Inc. | 数据表 | 2850 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | MSOP | YES | 10 | e0 | 1 (Unlimited) | 10 | EAR99 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | DUAL | 鸥翼 | 240 | 1 | 5V | 0.5mm | not_compliant | 未说明 | 10 | 2 | 不合格 | 5V | OTHER | 基于半桥的mosfet驱动器 | 0.04 µs | YES | 0.07 µs | 1.1mm | 3mm | 3mm | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MIC5016BN | Micrel | 数据表 | 25 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 14 | PLASTIC, DIP-14 | IN-LINE | PLASTIC/EPOXY | DIP14,.3 | -40 °C | 3 V | 30 | 2.75 V | 85 °C | 无 | MIC5016BN | 8000 µs | DIP | RECTANGULAR | Microchip Technology Inc | Obsolete | 30 µs | MICREL INC | 30 V | 5.89 | DIP | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8542.39.00.01 | MOSFET驱动器 | MOS | DUAL | THROUGH-HOLE | 240 | 2 | 2.54 mm | unknown | 14 | R-PDIP-T14 | 不合格 | 2.75/30 V | INDUSTRIAL | TOTEM-POLE | TRUE | STANDARD | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | YES | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IX4340NTR | IXYS Integrated Circuits Division | 数据表 | 1995 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC | Low-Side | 0.8V 2.5V | -55°C~150°C | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 5V~20V | CMOS/TTL | 7ns 7ns | Independent | 2 | N-Channel, P-Channel MOSFET | 5A 5A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL6609AIBZ | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | 150 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | SOIC | 8 | 800mW | 2001 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 85°C | -40°C | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 5V | 30 | 不合格 | 4A | 5V | INDUSTRIAL | 5.5V | 4.5V | 132μA | 4A | 8ns | 8 ns | 和基于栅极的mosfet驱动器 | 2 | 4A | YES | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IX4340NE | IXYS Integrated Circuits Division | 数据表 | 13 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad | 8-SOIC | Low-Side | 0.8V 2.5V | -55°C~150°C TJ | Tube | 活跃 | 1 (Unlimited) | 5V~20V | 2 | Non-Inverting | 7ns 7ns | Independent | 2 | N-Channel, P-Channel MOSFET | 5A 5A | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC4467EJD | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 通孔 | 14-CDIP (0.300, 7.62mm) | 14 | Low-Side | 0.8V 2.4V | -40°C~150°C TJ | Tube | 2002 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 14 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 840mW | 4.5V~18V | DUAL | 未说明 | 4 | 未说明 | TC4467 | 14 | 不合格 | 1.2mA | 4mA | 840mW | 75 ns | Inverting | 25ns | 25 ns | 15ns 15ns | 基于NAND门的MOSFET驱动器 | Independent | 4 | 0.1 μs | 1.2A | N-Channel, P-Channel MOSFET | 1.2A 1.2A | YES | 0.1 μs | 5.08mm | 19.305mm | 7.62mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VLA503-01 | Powerex Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 通孔 | 12-SIP | 14 | Low-Side | -20°C~60°C TA | Bulk | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | 14V~15V | 1 | 15V | 2.54mm | 12 | 不合格 | 5A | Non-Inverting | 300ns 300ns | 基于缓冲器或反相器的外设驱动器 | Single | 1 | IGBT | 5A 5A | OVER CURRENT | 水槽 | Unknown | 符合RoHS标准 | 无铅 |
UC2707N
Texas Instruments
分类:PMIC - Gate Drivers
134.248546
IX2204NE
IXYS Integrated Circuits Division
分类:PMIC - Gate Drivers
LT1161IN
Analog Devices, Inc.
分类:PMIC - Gate Drivers
TC1427CPAG
Microchip Technology
分类:PMIC - Gate Drivers
1SP0635V2M1-12
Power Integrations
分类:PMIC - Gate Drivers
2,880.688829
HIP6602BCRZ-T
Intersil (Renesas Electronics America)
分类:PMIC - Gate Drivers
IXDD630MCI
IXYS Integrated Circuits Division
分类:PMIC - Gate Drivers
IXDI630CI
IXYS Integrated Circuits Division
分类:PMIC - Gate Drivers
RT9625AZQW
Richtek USA Inc.
分类:PMIC - Gate Drivers
IR2113E6
Infineon Technologies AG
分类:PMIC - Gate Drivers
1,705.549551
IXDD430YI
IXYS
分类:PMIC - Gate Drivers
M57962CL-01
Powerex Inc.
分类:PMIC - Gate Drivers
E-L6569D
STMicroelectronics
分类:PMIC - Gate Drivers
ISL2111BR4Z-T
Intersil Corporation
分类:PMIC - Gate Drivers
IXDN514PI
IXYS
分类:PMIC - Gate Drivers
UCC27423D
Texas Instruments
分类:PMIC - Gate Drivers
HIP2100IR4Z
Intersil (Renesas Electronics America)
分类:PMIC - Gate Drivers
ISL2101AABZ-T
Intersil (Renesas Electronics America)
分类:PMIC - Gate Drivers
ADP3415LRM-REEL
Analog Devices, Inc.
分类:PMIC - Gate Drivers
MIC5016BN
Micrel
分类:PMIC - Gate Drivers
IX4340NTR
IXYS Integrated Circuits Division
分类:PMIC - Gate Drivers
ISL6609AIBZ
Intersil (Renesas Electronics America)
分类:PMIC - Gate Drivers
IX4340NE
IXYS Integrated Circuits Division
分类:PMIC - Gate Drivers
TC4467EJD
Microchip Technology
分类:PMIC - Gate Drivers
VLA503-01
Powerex Inc.
分类:PMIC - Gate Drivers
