类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 电压-隔离度 | 配置 | 电压 | 元素配置 | 电流 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最大重复反向电压(Vrrm) | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 反向电压 | 输入电容 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 栅极-发射极Thr电压-最大值 | 产品 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||
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APTGT450SK60G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 5 | SP6 | 1.4 V | 550 A | 600 nA | 微芯片技术 | 活跃 | 600 V | Details | 600 V | 1.75 kW | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 550 A | APTGT450 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 1.75 kW | Single | Single | 1.75 | 1750 W | Standard | 600 V | 550 A | 500 µA | 600 V | 37 nF | 1.8V @ 15V, 450A | 550 | 沟渠现场停车 | 无 | 37 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT150SK60T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1-12 | 1 | SP1 | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 微芯片技术 | 活跃 | 600 V | Details | 600 V | 480 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 2.821917 oz | Bulk | 225 A | APTGT150 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 480 W | Single | Single | 480 W | Standard | 1.9 V | 225 A | 250 µA | 600 V | 9.2 nF | 1.9V @ 15V, 150A | 150 | 沟渠现场停车 | 有 | 9.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT150A120T3AG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3-32 | 20 | SP3 | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 微芯片技术 | Details | 1.2 kV | 833 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 220 A | APTGT150 | 活跃 | 1.2 kV | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 833 W | Dual | Dual | 833 W | Standard | 1.2 kV | 220 A | 250 µA | 1200 V | 10.7 nF | 2.1V @ 15V, 150A | 220 | 沟渠现场停车 | 有 | 10.7 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT200DA120G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 5 | SP6 | 1.7 V | 280 A | 500 nA | 微芯片技术 | 活跃 | 1.2 kV | Details | 1.2 kV | 890 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 280 A | APTGT200 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 890 W | Single | Single | 890 W | Standard | 1.2 kV | 280 A | 350 µA | 1200 V | 14 nF | 2.1V @ 15V, 200A | 280 | 沟渠现场停车 | 无 | 14 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL40X120T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3-32 | SP3 | 1.85 V | 65 A | 400 nA | 微芯片技术 | 活跃 | Details | 1.2 kV | 220 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 65 A | APTGL40 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 3-Phase | 220 | 220 W | Standard | 250 µA | 1200 V | 2.25V @ 15V, 35A | 65 | 沟渠现场停车 | 有 | 1.95 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT600A60G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | NO | 7 | SP6 | 7 | SILICON | Details | 600 V | 2.3 kW | 1.4 V | 700 A | - 40 C | + 100 C | 800 nA | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | 微芯片技术 | Bulk | 700 A | APTGT600 | 活跃 | 600 V | 250 ns | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 205 ns | 400 ns | 未说明 | 175 °C | 有 | APTGT600A60G | RECTANGULAR | 2 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 1.56 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | e1 | 有 | EAR99 | 锡银铜 | 175 °C | -40 °C | 雪崩 额定 | 2.3 kW | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 7 | R-XUFM-X7 | 不合格 | Dual | Dual | 2.3 | ISOLATED | 130 ns | 2300 W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 600 V | 700 A | 750 µA | 600 V | 49 nF | 1.8V @ 15V, 600A | 700 A | 700 | 沟渠现场停车 | 600 V | 无 | 49 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT40GL120JU2 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis, Screw, Stud | Chassis, Stud Mount | ISOTOP-4 | 4 | SOT-227 | 1.85 V | 65 A | 400 nA | 微芯片技术 | Details | 1200 V | 220 W | - 55 C | + 175 C | 20 V | SMD/SMT | 1 | Bulk | 65 A | APT40GL120 | 活跃 | 1.2 kV | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 220 W | Single | Single | 220 W | Standard | 2.25 V | 65 A | 250 µA | 1200 V | 1.95 nF | 2.25V @ 15V, 35A | 65 | 沟渠现场停车 | 无 | 1.95 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ750R65KE3NOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 786 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 9 | SILICON | 3 | -50°C~125°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 9 | UPPER | UNSPECIFIED | 9 | Single | 14500W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 6.5kV | 750A | 5mA | 6500V | 1200 ns | 3.4V @ 15V, 750A | 8100 ns | 无 | 205nF @ 25V | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP50R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2263 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 24 | SILICON | 1.2kV | 75A | 7 | -40°C~125°C TJ | Bulk | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 35 | R-XUFM-X35 | Single | 270W | ISOLATED | 280W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 135 ns | 2.15V @ 15V, 50A | 610 ns | NPT | 无 | 3.5nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS400R07A1E3H5BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 26 Weeks | Screw | 1 | 1.7V | 2006 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | 150°C | -40°C | 750W | 不含卤素 | 650V | 500A | 650V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ2400R17HP4B29BOSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | 920 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 24 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 4800A | 3 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 9 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X9 | 单开关 | ISOLATED | 15500W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1700V | 665 ns | 2.25V @ 15V, 2400A | 1800 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 195nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUBW25-12A7 | IXYS | 数据表 | 128 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | E2 | 2 | SILICON | 1.2kV | 7 | -40°C~125°C TJ | Bulk | 2004 | e3 | yes | 活跃 | 24 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | LOW SWITCHING LOSS, LOW SATURATION VOLTAGE | 1.6kV | 225W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 25A | 未说明 | MUBW | 24 | 不合格 | 带制动器的三相逆变器 | ISOLATED | 225W | 电源控制 | N-CHANNEL | 三相桥式整流器 | 2.7V | 50A | 900μA | 1200V | 1.6kV | 1.65nF | 90 ns | 2.7V @ 15V, 25A | 350 ns | NPT | 有 | 1.65nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP10R12W1T4B3BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 5 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 20A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | 21 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 未说明 | R-XUFM-X21 | 三相逆变器 | ISOLATED | 105W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 108 ns | 2.25V @ 15V, 10A | 500 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 600pF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2086 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Screw | 底座安装 | Module | 11 | SILICON | 2 | -40°C~125°C | 2002 | EconoDUAL™ 3 | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 11 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 11 | 不合格 | 半桥逆变器 | Dual | ISOLATED | 1400W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.7kV | 340A | 3mA | 1700V | 375 ns | 2.45V @ 15V, 225A | 1300 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20.5nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT50GLQ65JU2 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SOT-227-4 | ISOTOP® | 1.85 V | 80 A | 150 nA | 微芯片技术 | Obsolete | 650 V | 220 W | - 55 C | + 150 C | 20 V | 底座安装 | 1 | ISOTOP | 1.058219 oz | Tube | 80 A | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Single | 220 W | Standard | 50 µA | 650 V | 2.3V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 无 | 3.1 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP15R12W1T4B11BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 82 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 28A | 7 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | 23 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X23 | 三相逆变器 | ISOLATED | 130W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 120 ns | 2.25V @ 15V, 15A | 495 ns | 有 | 890pF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF200R12KT3HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2093 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 7 | SILICON | 2 | -40°C~125°C | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 1050W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 295A | 5mA | 1200V | 215 ns | 2.15V @ 15V, 200A | 680 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 14nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT35A120T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1-12 | 1 | SP1 | 1.7 V | 55 A | 400 nA | 微芯片技术 | 活跃 | 1.2 kV | Details | 1200 V | 208 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 2.821917 oz | Bulk | 55 A | APTGT35 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 208 W | 半桥 | Dual | 208 W | Standard | 2.1 V | 55 A | 250 µA | 1200 V | 2.5 nF | 2.1V @ 15V, 35A | 55 | 沟渠现场停车 | 有 | 2.5 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTLGT300A1208G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | LP8 | 1.7 V | 440 A | 微芯片技术 | Details | 1.2 kV | 1.4 kW | - 40 C | + 85 C | 底座安装 | 1 | Bulk | APTLGT300 | 活跃 | Bulk | - | IGBT | 2500Vrms | Dual | 1.2 kV | 440 A | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGTQ200SK65T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3F | SP3F | 1.65 V | 200 A | 480 nA | 微芯片技术 | 活跃 | 650 V | 483 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 200 A | APTGTQ200 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Single | 483 W | Standard | 200 µA | 650 V | 2.2V @ 15V, 200A | - | 有 | 12 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1200R45HL3BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 42 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 1200A | 3 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 9 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | IEC-1287 | R-PUFM-X9 | 单开关 | ISOLATED | 15000W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 4500V | 1100 ns | 2.8V @ 15V, 1200A | 6670 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 280nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ400R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2792 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | NO | SILICON | 1 | 150°C | Bulk | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 5 | R-XUFM-X3 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | ISOLATED | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | 355 ns | 550A | 930 ns | 1700V | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF400R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 660A | 2 | -40°C~125°C | 2002 | no | 最后一次购买 | 1 (Unlimited) | 10 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 10 | R-XUFM-X10 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 4800W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 3300V | 4800W | 480 ns | 4.25V @ 15V, 400A | 1900 ns | 无 | 20V | 50nF @ 25V | 4.25 V | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYN82N120C3H1 | IXYS | 数据表 | 1000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | Chassis Mount, Screw, Surface Mount | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | 38.000013g | SILICON | 2.75V | 1.2kV | 1 | 192 ns | -55°C~150°C TJ | 2013 | XPT™, GenX3™ | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED | 500W | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | Single | ISOLATED | 29 ns | 500W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 105A | 50μA | 1200V | 4.06nF | 119 ns | 3.2V @ 15V, 82A | 295 ns | 无 | 20V | 4060pF @ 25V | 5V | 9.6mm | 38.23mm | 25.07mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT50A170T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1-12 | 1 | SP1 | 2 V | 75 A | 400 nA | 微芯片技术 | 活跃 | 1.7 kV | Details | 1700 V | 312 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 2.821917 oz | Bulk | 75 A | APTGT50 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 312 W | 半桥 | Dual | 312 W | Standard | 2.4 V | 75 A | 250 µA | 1700 V | 4.4 nF | 2.4V @ 15V, 50A | 75 | 沟渠现场停车 | 有 | 4.4 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 |
APTGT450SK60G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT150SK60T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT150A120T3AG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT200DA120G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGL40X120T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT600A60G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT40GL120JU2
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ750R65KE3NOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
25,053.863060
FP50R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
967.278179
FS400R07A1E3H5BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ2400R17HP4B29BOSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
8,213.340106
MUBW25-12A7
IXYS
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP10R12W1T4B3BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
311.194305
FF225R17ME3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,303.976940
APT50GLQ65JU2
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP15R12W1T4B11BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
222.572532
FF200R12KT3HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,185.233780
APTGT35A120T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTLGT300A1208G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGTQ200SK65T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ1200R45HL3BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ400R17KE4HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
884.745705
FF400R33KF2CNOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
IXYN82N120C3H1
IXYS
分类:Transistors - IGBTs - Modules
248.604807
APTGT50A170T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
