类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

质量

终端数量

晶体管元件材料

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

Gate-Emitter Leakage Current

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

类型

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

电压 - 额定直流

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

额定电流

时间@峰值回流温度-最大值(s)

基本部件号

引脚数量

参考标准

JESD-30代码

资历状况

电压-隔离度

配置

电压

元素配置

电流

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

功率 - 最大

晶体管应用

无卤素

极性/通道类型

输入

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

最大重复反向电压(Vrrm)

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

反向电压

输入电容

最大耗散功率(Abs)

接通时间

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

集电极电流-最大值(IC)

连续集电极电流

关断时间-标准值(toff)

IGBT类型

集电极-发射器电压-最大值

NTC热敏电阻

栅极-发射极电压-最大值

输入电容(Cies)@Vce

VCEsat-最大值

栅极-发射极Thr电压-最大值

产品

高度

长度

宽度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

APTGT450SK60G
APTGT450SK60G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

5

SP6

1.4 V

550 A

600 nA

微芯片技术

活跃

600 V

Details

600 V

1.75 kW

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

550 A

APTGT450

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

1.75 kW

Single

Single

1.75

1750 W

Standard

600 V

550 A

500 µA

600 V

37 nF

1.8V @ 15V, 450A

550

沟渠现场停车

无

37 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

APTGT150SK60T1G
APTGT150SK60T1G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP1-12

1

SP1

1.5 V

225 A

400 nA

微芯片技术

活跃

600 V

Details

600 V

480 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

2.821917 oz

Bulk

225 A

APTGT150

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

480 W

Single

Single

480 W

Standard

1.9 V

225 A

250 µA

600 V

9.2 nF

1.9V @ 15V, 150A

150

沟渠现场停车

有

9.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT150A120T3AG
APTGT150A120T3AG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP3-32

20

SP3

1.7 V

220 A

400 nA

微芯片技术

Details

1.2 kV

833 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

Bulk

220 A

APTGT150

活跃

1.2 kV

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

833 W

Dual

Dual

833 W

Standard

1.2 kV

220 A

250 µA

1200 V

10.7 nF

2.1V @ 15V, 150A

220

沟渠现场停车

有

10.7 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT200DA120G
APTGT200DA120G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

5

SP6

1.7 V

280 A

500 nA

微芯片技术

活跃

1.2 kV

Details

1.2 kV

890 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

280 A

APTGT200

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

890 W

Single

Single

890 W

Standard

1.2 kV

280 A

350 µA

1200 V

14 nF

2.1V @ 15V, 200A

280

沟渠现场停车

无

14 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGL40X120T3G
APTGL40X120T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3-32

SP3

1.85 V

65 A

400 nA

微芯片技术

活跃

Details

1.2 kV

220 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

Bulk

65 A

APTGL40

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

3-Phase

220

220 W

Standard

250 µA

1200 V

2.25V @ 15V, 35A

65

沟渠现场停车

有

1.95 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT600A60G
APTGT600A60G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

NO

7

SP6

7

SILICON

Details

600 V

2.3 kW

1.4 V

700 A

- 40 C

+ 100 C

800 nA

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

微芯片技术

Bulk

700 A

APTGT600

活跃

600 V

250 ns

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

FLANGE MOUNT

UNSPECIFIED

205 ns

400 ns

未说明

175 °C

有

APTGT600A60G

RECTANGULAR

2

活跃

MICROSEMI CORP

1.56

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

e1

有

EAR99

锡银铜

175 °C

-40 °C

雪崩 额定

2.3 kW

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

7

R-XUFM-X7

不合格

Dual

Dual

2.3

ISOLATED

130 ns

2300 W

MOTOR CONTROL

N-CHANNEL

Standard

600 V

700 A

750 µA

600 V

49 nF

1.8V @ 15V, 600A

700 A

700

沟渠现场停车

600 V

无

49 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无铅

APT40GL120JU2
APT40GL120JU2
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis, Screw, Stud

Chassis, Stud Mount

ISOTOP-4

4

SOT-227

1.85 V

65 A

400 nA

微芯片技术

Details

1200 V

220 W

- 55 C

+ 175 C

20 V

SMD/SMT

1

Bulk

65 A

APT40GL120

活跃

1.2 kV

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

220 W

Single

Single

220 W

Standard

2.25 V

65 A

250 µA

1200 V

1.95 nF

2.25V @ 15V, 35A

65

沟渠现场停车

无

1.95 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

FZ750R65KE3NOSA1
FZ750R65KE3NOSA1
Infineon Technologies 数据表

786 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

20 Weeks

Screw

底座安装

Module

9

SILICON

3

-50°C~125°C

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

9

UPPER

UNSPECIFIED

9

Single

14500W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

6.5kV

750A

5mA

6500V

1200 ns

3.4V @ 15V, 750A

8100 ns

无

205nF @ 25V

Non-RoHS Compliant

含铅

FP50R12KE3BOSA1
FP50R12KE3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2263 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

底座安装

Module

NO

24

SILICON

1.2kV

75A

7

-40°C~125°C TJ

Bulk

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

35

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

35

R-XUFM-X35

Single

270W

ISOLATED

280W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

135 ns

2.15V @ 15V, 50A

610 ns

NPT

无

3.5nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

FS400R07A1E3H5BPSA1
FS400R07A1E3H5BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

26 Weeks

Screw

1

1.7V

2006

yes

Obsolete

1 (Unlimited)

EAR99

150°C

-40°C

750W

不含卤素

650V

500A

650V

符合RoHS标准

含铅

FZ2400R17HP4B29BOSA2
FZ2400R17HP4B29BOSA2
Infineon Technologies 数据表

920 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

24 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

4800A

3

-40°C~150°C

2002

活跃

1 (Unlimited)

9

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

R-XUFM-X9

单开关

ISOLATED

15500W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1700V

665 ns

2.25V @ 15V, 2400A

1800 ns

沟渠现场停车

无

195nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

MUBW25-12A7
MUBW25-12A7
IXYS 数据表

128 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

20 Weeks

Chassis Mount, Screw

底座安装

E2

2

SILICON

1.2kV

7

-40°C~125°C TJ

Bulk

2004

e3

yes

活跃

24

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

LOW SWITCHING LOSS, LOW SATURATION VOLTAGE

1.6kV

225W

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

25A

未说明

MUBW

24

不合格

带制动器的三相逆变器

ISOLATED

225W

电源控制

N-CHANNEL

三相桥式整流器

2.7V

50A

900μA

1200V

1.6kV

1.65nF

90 ns

2.7V @ 15V, 25A

350 ns

NPT

有

1.65nF @ 25V

ROHS3 Compliant

无铅

FP10R12W1T4B3BOMA1
FP10R12W1T4B3BOMA1
Infineon Technologies 数据表

5 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

20A

6

-40°C~150°C

2002

活跃

不适用

21

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

未说明

R-XUFM-X21

三相逆变器

ISOLATED

105W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

108 ns

2.25V @ 15V, 10A

500 ns

沟渠现场停车

有

600pF @ 25V

符合RoHS标准

FF225R17ME3BOSA1
FF225R17ME3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2086 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Screw

底座安装

Module

11

SILICON

2

-40°C~125°C

2002

EconoDUAL™ 3

no

不用于新设计

1 (Unlimited)

11

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

11

不合格

半桥逆变器

Dual

ISOLATED

1400W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1.7kV

340A

3mA

1700V

375 ns

2.45V @ 15V, 225A

1300 ns

沟渠现场停车

有

20.5nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

APT50GLQ65JU2
APT50GLQ65JU2
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SOT-227-4

ISOTOP®

1.85 V

80 A

150 nA

微芯片技术

Obsolete

650 V

220 W

- 55 C

+ 150 C

20 V

底座安装

1

ISOTOP

1.058219 oz

Tube

80 A

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Single

220 W

Standard

50 µA

650 V

2.3V @ 15V, 50A

沟渠现场停车

无

3.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

FP15R12W1T4B11BOMA1
FP15R12W1T4B11BOMA1
Infineon Technologies 数据表

82 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

28A

7

-40°C~150°C

2002

活跃

不适用

23

EAR99

UL 认证

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

R-XUFM-X23

三相逆变器

ISOLATED

130W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

120 ns

2.25V @ 15V, 15A

495 ns

有

890pF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FF200R12KT3HOSA1
FF200R12KT3HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2093 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

Screw

底座安装

Module

7

SILICON

2

-40°C~125°C

yes

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

7

2 Independent

Dual

ISOLATED

1050W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

295A

5mA

1200V

215 ns

2.15V @ 15V, 200A

680 ns

沟渠现场停车

无

14nF @ 25V

符合RoHS标准

APTGT35A120T1G
APTGT35A120T1G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP1-12

1

SP1

1.7 V

55 A

400 nA

微芯片技术

活跃

1.2 kV

Details

1200 V

208 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

2.821917 oz

Bulk

55 A

APTGT35

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

208 W

半桥

Dual

208 W

Standard

2.1 V

55 A

250 µA

1200 V

2.5 nF

2.1V @ 15V, 35A

55

沟渠现场停车

有

2.5 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

APTLGT300A1208G
APTLGT300A1208G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

LP8

1.7 V

440 A

微芯片技术

Details

1.2 kV

1.4 kW

- 40 C

+ 85 C

底座安装

1

Bulk

APTLGT300

活跃

Bulk

-

IGBT

2500Vrms

Dual

1.2 kV

440 A

IGBT硅模块

APTGTQ200SK65T3G
APTGTQ200SK65T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3F

SP3F

1.65 V

200 A

480 nA

微芯片技术

活跃

650 V

483 W

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

200 A

APTGTQ200

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Single

483 W

Standard

200 µA

650 V

2.2V @ 15V, 200A

-

有

12 nF @ 25 V

IGBT硅模块

FZ1200R45HL3BPSA1
FZ1200R45HL3BPSA1
Infineon Technologies 数据表

2 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

42 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

1200A

3

-40°C~150°C

2002

活跃

1 (Unlimited)

9

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

IEC-1287

R-PUFM-X9

单开关

ISOLATED

15000W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

4500V

1100 ns

2.8V @ 15V, 1200A

6670 ns

沟渠现场停车

无

280nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

FZ400R17KE4HOSA1
FZ400R17KE4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2792 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

NO

SILICON

1

150°C

Bulk

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

3

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

5

R-XUFM-X3

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

ISOLATED

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

355 ns

550A

930 ns

1700V

ROHS3 Compliant

无铅

FF400R33KF2CNOSA1
FF400R33KF2CNOSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

NO

SILICON

660A

2

-40°C~125°C

2002

no

最后一次购买

1 (Unlimited)

10

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

10

R-XUFM-X10

2 Independent

Dual

ISOLATED

4800W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

3300V

4800W

480 ns

4.25V @ 15V, 400A

1900 ns

无

20V

50nF @ 25V

4.25 V

Non-RoHS Compliant

含铅

IXYN82N120C3H1
IXYN82N120C3H1
IXYS 数据表

1000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

Chassis Mount, Screw, Surface Mount

底座安装

SOT-227-4, miniBLOC

4

38.000013g

SILICON

2.75V

1.2kV

1

192 ns

-55°C~150°C TJ

2013

XPT™, GenX3™

活跃

1 (Unlimited)

4

EAR99

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

500W

UPPER

UNSPECIFIED

4

Single

ISOLATED

29 ns

500W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

105A

50μA

1200V

4.06nF

119 ns

3.2V @ 15V, 82A

295 ns

无

20V

4060pF @ 25V

5V

9.6mm

38.23mm

25.07mm

ROHS3 Compliant

无铅

APTGT50A170T1G
APTGT50A170T1G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP1-12

1

SP1

2 V

75 A

400 nA

微芯片技术

活跃

1.7 kV

Details

1700 V

312 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

2.821917 oz

Bulk

75 A

APTGT50

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

312 W

半桥

Dual

312 W

Standard

2.4 V

75 A

250 µA

1700 V

4.4 nF

2.4V @ 15V, 50A

75

沟渠现场停车

有

4.4 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无