Infineon Technologies FP50R12KE3BOSA1

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

表面安装

NO

引脚数

24

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Current-Collector (Ic) (Max)

75A

Number of Elements

7

操作温度

-40°C~125°C TJ

包装

Bulk

已出版

2002

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

35

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

35

JESD-30代码

R-XUFM-X35

配置

Single

功率耗散

270W

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

280W

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大集极截止电流

5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

135 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.15V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

610 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

3.5nF @ 25V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅