类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

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对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

Gate-Emitter Leakage Current

厂商

操作温度

包装

系列

JESD-609代码

无铅代码

ECCN 代码

类型

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

子类别

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

电压-隔离度

配置

电压

元素配置

电流

功率耗散

箱体转运

功率 - 最大

晶体管应用

极性/通道类型

输入

产品类别

集电极发射器电压(VCEO)

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

信道型

最大耗散功率(Abs)

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

集电极电流-最大值(IC)

连续集电极电流

IGBT类型

集电极-发射器电压-最大值

NTC热敏电阻

栅极-发射极电压-最大值

输入电容(Cies)@Vce

VCEsat-最大值

产品

产品类别

高度(毫米)

FMG1G400US60L
FMG1G400US60L
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Non-Compliant

150 °C

-40 °C

Single

600 V

DF100R07W1H5FPB54BPSA1
DF100R07W1H5FPB54BPSA1
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DF100R07W1H5FPB54BPSA1

Infineon Technologies AG

Obsolete

INFINEON TECHNOLOGIES AG

5.62

EAR99

compliant

40

APTGF150A120TG
APTGF150A120TG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP4

NO

SP4

12

SILICON

欧姆龙自动化与安全

有

APTGF150A120TG

RECTANGULAR

Microsemi Corporation

2

Obsolete

MICROSEMI CORP

5.71

MODULE

Bulk

活跃

200 A

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12

FLANGE MOUNT

1

UNSPECIFIED

190 ns

390 ns

未说明

150 °C

-

*

e1

有

EAR99

锡银铜

绝缘栅BIP晶体管

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

12

R-XUFM-X12

不合格

半桥

ISOLATED

961 W

MOTOR CONTROL

N-CHANNEL

Standard

350 µA

1200 V

961 W

3.7V @ 15V, 150A

200 A

NPT

1200 V

有

20 V

10.2 nF @ 25 V

3.7 V

PM75RG1A065
PM75RG1A065
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.25 V

75 A

-

Details

650 V

297 W

- 20 C

+ 125 C

Screw

10

7-Pack

IGBT硅模块

PM75RG1B065
PM75RG1B065
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.25 V

75 A

-

Details

650 V

297 W

- 20 C

+ 125 C

Screw

10

7-Pack

IGBT硅模块

CM450DX-24T
CM450DX-24T
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.65 V

450 A

0.5 uA

活跃

MITSUBISHI ELECTRIC CORP

5.27

Details

1200 V

2500 W

- 40 C

+ 150 C

20 V

Screw

10

CM450DX-24T

,

未说明

有

Dual

未说明

unknown

Dual

IGBT硅模块

20.5 mm

CM1200E4C-34N
CM1200E4C-34N
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Module

NO

7

SILICON

2.15 V

1200 A

0.5 uA

UNSPECIFIED

1400 ns

1500 ns

150 °C

RECTANGULAR

1

活跃

MITSUBISHI ELECTRIC CORP

5.25

MODULE

N

1700 V

6500 W

- 40 C

+ 125 C

20 V

SMD/SMT

1

CM1200E4C-34N

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

FLANGE MOUNT

Bulk

CM1200

UPPER

UNSPECIFIED

unknown

7

R-XUFM-X7

不合格

Dual

ISOLATED

电源控制

N-CHANNEL

6500 W

1200 A

1700 V

20 V

2.8 V

IGBT硅模块

38 mm

PSS25SA2FT
PSS25SA2FT
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.5 V

25 A

-

Details

1200 V

103 W

- 30 C

+ 100 C

螺钉安装

10

6-Pack

IGBT硅模块

PSS15SA2FT
PSS15SA2FT
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.5 V

15 A

-

Details

1200 V

86.9 W

- 30 C

+ 100 C

螺钉安装

10

6-Pack

IGBT硅模块

PSS05SA2FT
PSS05SA2FT
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.4 V

5 A

-

- 30 C

44.6 W

1200 V

Details

+ 100 C

螺钉安装

10

6-Pack

IGBT硅模块

PSS75SA2FT
PSS75SA2FT
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.8 V

75 A

-

螺钉安装

10

PSS75SA2FT

Details

1200 V

-

- 30 C

+ 100 C

6-Pack

IGBT硅模块

NFAQ0560R46T
NFAQ0560R46T
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

DIP-6

2 V

5 A

1 mA

onsemi

-

- 40 C

+ 125 C

400

Tube

NFAQ0560

活跃

600V

NFAQ

2.6 V

Details

600 V

Tube

NFAQ0560R46T

IGBT

2000Vrms

3-Phase Inverter

600 V

5 A

IGBT硅模块

APTGT100TDU60PG
APTGT100TDU60PG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6-P

SP6-P

1.5 V

150 A

400 nA

微芯片技术

340 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

150 A

APTGT100

活跃

Details

600 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

三双共源

340 W

Standard

250 µA

600 V

1.9V @ 15V, 100A

150

沟渠现场停车

无

6.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT200DH60G
APTGT200DH60G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

SP6

1.5 V

290 A

400 nA

微芯片技术

625 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

290 A

APTGT200

活跃

Details

600 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Dual

625 W

Standard

250 µA

600 V

1.9V @ 15V, 200A

290

沟渠现场停车

无

12.3 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT150DH120G
APTGT150DH120G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

SP6

1.7 V

220 A

400 nA

微芯片技术

690 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

220 A

APTGT150

活跃

Details

1.2 kV

-

Tube

-

Dual

690 W

Standard

350 µA

1200 V

2.1V @ 15V, 150A

220

沟渠现场停车

无

10.7 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT50H120T3G
APTGT50H120T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3-32

SP3

1.7 V

75 A

400 nA

微芯片技术

+ 100 C

20 V

底座安装

1

Bulk

75 A

APTGT50

活跃

Details

1.2 kV

270 W

- 40 C

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

全桥

270

270 W

Standard

250 µA

1200 V

2.1V @ 15V, 50A

75

沟渠现场停车

有

3.6 nF @ 25 V

IGBT硅模块

FP25R12KT3BPSA1
FP25R12KT3BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO2-8

1.7

40 A

Infineon Technologies

活跃

40 A

FP25R12

155 W

+ 125 C

- 40 C

15

FP25R12KT3 SP005422406

Infineon

Infineon Technologies

Details

1200 V

Tray

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tray

IGBTs

三相逆变器

155

105 W

三相桥式整流器

IGBT模块

5 mA

1200 V

2.15V @ 15V, 25A

40

-

有

1.8 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

NXH350N100H4Q2F2S1G
NXH350N100H4Q2F2S1G
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

42-PIM/Q2PACK (93x47)

1.63V

onsemi

Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free)

1000 V

12

onsemi

onsemi

Tray

活跃

303 A

NXH350

±20V

-40°C ~ 150°C (TJ)

-

三级逆变器

592W

276 W

Standard

1 mA

1000 V

2.3V @ 15V, 375A

303A

沟渠现场停车

有

24.146 nF @ 20 V

onsemi

FF600R12ME4EB11BPSA1
FF600R12ME4EB11BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONOD-3

1.75V

600 A

Infineon Technologies

不用于新设计

600 A

FF600R12

-

+ 150 C

- 40 C

10

FF600R12ME4E_B11 SP005422530

Infineon

Infineon Technologies

Details

1200 V

Tray

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tray

IGBTs

2 Independent

-

20 mW

Standard

IGBT模块

3 mA

1200 V

2.1V @ 15V, 600A

600

沟渠现场停车

有

37 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

FP40R12KT3BPSA1
FP40R12KT3BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO2-8

1.8V

55 A

Infineon Technologies

活跃

55 A

FP40R12

210 W

+ 125 C

- 40 C

15

FP40R12KT3 SP005422408

Infineon

Infineon Technologies

Details

1200 V

Tray

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tray

-

IGBTs

三相逆变器

210W

105 W

三相桥式整流器

IGBT模块

5 mA

1200 V

2.3V @ 15V, 40A

55A

-

有

2.5 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

FP25R12KE3BPSA1
FP25R12KE3BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO2-8

1.7

40 A

Infineon Technologies

活跃

40 A

FP25R12

155 W

+ 125 C

- 40 C

15

FP25R12KE3 SP005422386

Infineon

Infineon Technologies

Details

1200 V

Tray

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tray

IGBTs

三相逆变器

155

155 W

三相桥式整流器

IGBT模块

1 mA

1200 V

2.15V @ 15V, 25A

40

沟渠现场停车

有

1.8 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

FP100R12W3T7B11BPSA1
FP100R12W3T7B11BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-EASY3B

1.5V

100 A

Infineon Technologies

Tray

活跃

100 A

FP100R12

-

+ 175 C

- 40 C

1.2 kV

-40°C ~ 175°C (TJ)

三相逆变器

-

20 mW

三相桥式整流器

1 mA

1200 V

-

100A

沟渠现场停车

有

21.7 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APT60GF120JRD
APT60GF120JRD
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SOT-227-4, miniBLOC

100 A

微芯片技术

115 A

活跃

Tube

APT60

- 20 V, + 20 V

520 W

+ 150 C

- 55 C

1

螺钉安装

Microchip

Microchip Technology / Atmel

Details

1.2 kV

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

IGBTs

Single

521 W

Standard

IGBT晶体管

500 mA

1200 V

3.4V @ 15V, 60A

NPT

无

7.08 nF @ 25 V

IGBT晶体管

FP100R12N2T7BPSA1
FP100R12N2T7BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO2B

1.5V

100 A

Infineon Technologies

Tray

活跃

100 A

FP100R12

±20V

Module

1200 V

-

+ 175 C

- 40 C

10

FP100R12N2T7 SP005345908

Infineon

Infineon Technologies

1200 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

IGBTs

31

三相逆变器

-

20 mW

三相桥式整流器

IGBT模块

10 μA

1200 V

N

1.5V @ 15V, 100A

100A

沟渠现场停车

有

21.7 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

FP35R12N2T7B11BPSA1
FP35R12N2T7B11BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO2B

1.6V

Infineon Technologies

Tray

活跃

35 A

FP35R12

±20V

Module

1200 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

23

三相逆变器

-

20 mW

三相桥式整流器

7 μA

1200 V

N

1.6V @ 15V, 35A

35A

沟渠现场停车

有

6.62 nF @ 25 V