类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 子类别 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 电压-隔离度 | 配置 | 电压 | 元素配置 | 电流 | 功率耗散 | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 输入 | 产品类别 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 信道型 | 最大耗散功率(Abs) | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 连续集电极电流 | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 产品 | 产品类别 | 高度(毫米) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMG1G400US60L | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Non-Compliant | 150 °C | -40 °C | Single | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DF100R07W1H5FPB54BPSA1 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | DF100R07W1H5FPB54BPSA1 | Infineon Technologies AG | Obsolete | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 5.62 | EAR99 | compliant | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGF150A120TG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP4 | NO | SP4 | 12 | SILICON | 欧姆龙自动化与安全 | 有 | APTGF150A120TG | RECTANGULAR | Microsemi Corporation | 2 | Obsolete | MICROSEMI CORP | 5.71 | MODULE | Bulk | 活跃 | 200 A | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12 | FLANGE MOUNT | 1 | UNSPECIFIED | 190 ns | 390 ns | 未说明 | 150 °C | - | * | e1 | 有 | EAR99 | 锡银铜 | 绝缘栅BIP晶体管 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 12 | R-XUFM-X12 | 不合格 | 半桥 | ISOLATED | 961 W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 350 µA | 1200 V | 961 W | 3.7V @ 15V, 150A | 200 A | NPT | 1200 V | 有 | 20 V | 10.2 nF @ 25 V | 3.7 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PM75RG1A065 | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1.25 V | 75 A | - | Details | 650 V | 297 W | - 20 C | + 125 C | Screw | 10 | 7-Pack | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PM75RG1B065 | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1.25 V | 75 A | - | Details | 650 V | 297 W | - 20 C | + 125 C | Screw | 10 | 7-Pack | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM450DX-24T | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1.65 V | 450 A | 0.5 uA | 活跃 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP | 5.27 | Details | 1200 V | 2500 W | - 40 C | + 150 C | 20 V | Screw | 10 | CM450DX-24T | , | 未说明 | 有 | Dual | 未说明 | unknown | Dual | IGBT硅模块 | 20.5 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM1200E4C-34N | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Module | NO | 7 | SILICON | 2.15 V | 1200 A | 0.5 uA | UNSPECIFIED | 1400 ns | 1500 ns | 150 °C | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP | 5.25 | MODULE | N | 1700 V | 6500 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | SMD/SMT | 1 | CM1200E4C-34N | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | FLANGE MOUNT | Bulk | CM1200 | UPPER | UNSPECIFIED | unknown | 7 | R-XUFM-X7 | 不合格 | Dual | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | 6500 W | 1200 A | 1700 V | 20 V | 2.8 V | IGBT硅模块 | 38 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PSS25SA2FT | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1.5 V | 25 A | - | Details | 1200 V | 103 W | - 30 C | + 100 C | 螺钉安装 | 10 | 6-Pack | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PSS15SA2FT | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1.5 V | 15 A | - | Details | 1200 V | 86.9 W | - 30 C | + 100 C | 螺钉安装 | 10 | 6-Pack | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PSS05SA2FT | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1.4 V | 5 A | - | - 30 C | 44.6 W | 1200 V | Details | + 100 C | 螺钉安装 | 10 | 6-Pack | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PSS75SA2FT | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1.8 V | 75 A | - | 螺钉安装 | 10 | PSS75SA2FT | Details | 1200 V | - | - 30 C | + 100 C | 6-Pack | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NFAQ0560R46T | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | DIP-6 | 2 V | 5 A | 1 mA | onsemi | - | - 40 C | + 125 C | 400 | Tube | NFAQ0560 | 活跃 | 600V | NFAQ | 2.6 V | Details | 600 V | Tube | NFAQ0560R46T | IGBT | 2000Vrms | 3-Phase Inverter | 600 V | 5 A | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100TDU60PG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6-P | SP6-P | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 微芯片技术 | 340 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 150 A | APTGT100 | 活跃 | Details | 600 V | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 三双共源 | 340 W | Standard | 250 µA | 600 V | 1.9V @ 15V, 100A | 150 | 沟渠现场停车 | 无 | 6.1 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT200DH60G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6 | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 微芯片技术 | 625 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 290 A | APTGT200 | 活跃 | Details | 600 V | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Dual | 625 W | Standard | 250 µA | 600 V | 1.9V @ 15V, 200A | 290 | 沟渠现场停车 | 无 | 12.3 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT150DH120G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6 | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 微芯片技术 | 690 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 220 A | APTGT150 | 活跃 | Details | 1.2 kV | - | Tube | - | Dual | 690 W | Standard | 350 µA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 150A | 220 | 沟渠现场停车 | 无 | 10.7 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT50H120T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3-32 | SP3 | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 微芯片技术 | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 75 A | APTGT50 | 活跃 | Details | 1.2 kV | 270 W | - 40 C | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 全桥 | 270 | 270 W | Standard | 250 µA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 50A | 75 | 沟渠现场停车 | 有 | 3.6 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP25R12KT3BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-ECONO2-8 | 1.7 | 40 A | Infineon Technologies | 活跃 | 40 A | FP25R12 | 155 W | + 125 C | - 40 C | 15 | FP25R12KT3 SP005422406 | Infineon | Infineon Technologies | Details | 1200 V | Tray | -40°C ~ 125°C (TJ) | Tray | IGBTs | 三相逆变器 | 155 | 105 W | 三相桥式整流器 | IGBT模块 | 5 mA | 1200 V | 2.15V @ 15V, 25A | 40 | - | 有 | 1.8 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | IGBT模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NXH350N100H4Q2F2S1G | onsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | 42-PIM/Q2PACK (93x47) | 1.63V | onsemi | Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free) | 1000 V | 12 | onsemi | onsemi | Tray | 活跃 | 303 A | NXH350 | ±20V | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | 三级逆变器 | 592W | 276 W | Standard | 1 mA | 1000 V | 2.3V @ 15V, 375A | 303A | 沟渠现场停车 | 有 | 24.146 nF @ 20 V | onsemi | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF600R12ME4EB11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-ECONOD-3 | 1.75V | 600 A | Infineon Technologies | 不用于新设计 | 600 A | FF600R12 | - | + 150 C | - 40 C | 10 | FF600R12ME4E_B11 SP005422530 | Infineon | Infineon Technologies | Details | 1200 V | Tray | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tray | IGBTs | 2 Independent | - | 20 mW | Standard | IGBT模块 | 3 mA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 600A | 600 | 沟渠现场停车 | 有 | 37 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | IGBT模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP40R12KT3BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-ECONO2-8 | 1.8V | 55 A | Infineon Technologies | 活跃 | 55 A | FP40R12 | 210 W | + 125 C | - 40 C | 15 | FP40R12KT3 SP005422408 | Infineon | Infineon Technologies | Details | 1200 V | Tray | -40°C ~ 125°C (TJ) | Tray | - | IGBTs | 三相逆变器 | 210W | 105 W | 三相桥式整流器 | IGBT模块 | 5 mA | 1200 V | 2.3V @ 15V, 40A | 55A | - | 有 | 2.5 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | IGBT模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP25R12KE3BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-ECONO2-8 | 1.7 | 40 A | Infineon Technologies | 活跃 | 40 A | FP25R12 | 155 W | + 125 C | - 40 C | 15 | FP25R12KE3 SP005422386 | Infineon | Infineon Technologies | Details | 1200 V | Tray | -40°C ~ 125°C (TJ) | Tray | IGBTs | 三相逆变器 | 155 | 155 W | 三相桥式整流器 | IGBT模块 | 1 mA | 1200 V | 2.15V @ 15V, 25A | 40 | 沟渠现场停车 | 有 | 1.8 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | IGBT模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP100R12W3T7B11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-EASY3B | 1.5V | 100 A | Infineon Technologies | Tray | 活跃 | 100 A | FP100R12 | - | + 175 C | - 40 C | 1.2 kV | -40°C ~ 175°C (TJ) | 三相逆变器 | - | 20 mW | 三相桥式整流器 | 1 mA | 1200 V | - | 100A | 沟渠现场停车 | 有 | 21.7 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60GF120JRD | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 100 A | 微芯片技术 | 115 A | 活跃 | Tube | APT60 | - 20 V, + 20 V | 520 W | + 150 C | - 55 C | 1 | 螺钉安装 | Microchip | Microchip Technology / Atmel | Details | 1.2 kV | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | IGBTs | Single | 521 W | Standard | IGBT晶体管 | 500 mA | 1200 V | 3.4V @ 15V, 60A | NPT | 无 | 7.08 nF @ 25 V | IGBT晶体管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP100R12N2T7BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-ECONO2B | 1.5V | 100 A | Infineon Technologies | Tray | 活跃 | 100 A | FP100R12 | ±20V | Module | 1200 V | - | + 175 C | - 40 C | 10 | FP100R12N2T7 SP005345908 | Infineon | Infineon Technologies | 1200 V | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tray | IGBTs | 31 | 三相逆变器 | - | 20 mW | 三相桥式整流器 | IGBT模块 | 10 μA | 1200 V | N | 1.5V @ 15V, 100A | 100A | 沟渠现场停车 | 有 | 21.7 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | IGBT模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP35R12N2T7B11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-ECONO2B | 1.6V | Infineon Technologies | Tray | 活跃 | 35 A | FP35R12 | ±20V | Module | 1200 V | -40°C ~ 175°C (TJ) | 23 | 三相逆变器 | - | 20 mW | 三相桥式整流器 | 7 μA | 1200 V | N | 1.6V @ 15V, 35A | 35A | 沟渠现场停车 | 有 | 6.62 nF @ 25 V |
FMG1G400US60L
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
DF100R07W1H5FPB54BPSA1
Infineon
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGF150A120TG
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
PM75RG1A065
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
PM75RG1B065
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
CM450DX-24T
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
CM1200E4C-34N
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
PSS25SA2FT
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
PSS15SA2FT
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
PSS05SA2FT
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
PSS75SA2FT
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
NFAQ0560R46T
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT100TDU60PG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT200DH60G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT150DH120G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT50H120T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP25R12KT3BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
NXH350N100H4Q2F2S1G
onsemi
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF600R12ME4EB11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP40R12KT3BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP25R12KE3BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP100R12W3T7B11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT60GF120JRD
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP100R12N2T7BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP35R12N2T7B11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
