类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

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对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

生命周期状态

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

材料

终端数量

晶体管元件材料

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

Gate-Emitter Leakage Current

厂商

操作温度

包装

系列

容差

JESD-609代码

无铅代码

终止次数

终端

ECCN 代码

温度系数

类型

电阻

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

组成

性别

附加功能

电容量

子类别

额定功率

最大功率耗散

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

额定电流

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

失败率

配置

元素配置

线规(最大值)

线规(最小值)

箱体转运

功率 - 最大

晶体管应用

绝缘材料

极性/通道类型

输入

产品类别

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

输入电容

最大耗散功率(Abs)

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

集电极电流-最大值(IC)

连续集电极电流

IGBT类型

集电极-发射器电压-最大值

NTC热敏电阻

栅极-发射极电压-最大值

输入电容(Cies)@Vce

VCEsat-最大值

栅极-发射极Thr电压-最大值

产品

特征

产品类别

产品长度

产品宽度

长度

宽度

高度(毫米)

辐射硬化

无铅

BSM25GP120B2BOSA1
BSM25GP120B2BOSA1
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

Module

Infineon Technologies

Non-Compliant

Tray

45 A

BSM25G

最后一次购买

150°C (TJ)

Bulk

-

0.1 %

2

50 ppm/°C

60.4 Ω

Metal Film

125 mW

125 mW

0.001 %

全桥

230 W

三相桥式整流器

500 µA

1200 V

2.55V @ 15V, 25A

-

有

1.5 nF @ 25 V

Military, Moisture Resistant, Weldable

6.35 mm

2.39 mm

含铅

APTGF90H60T3G
APTGF90H60T3G
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3

SP3

微芯片技术

Bulk

120 A

Obsolete

-

-

全桥逆变器

416 W

Standard

250 µA

600 V

2.45V @ 15V, 100A

NPT

有

4.4 nF @ 25 V

DF100R07W1H5FPB54BPSA1
DF100R07W1H5FPB54BPSA1
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DF100R07W1H5FPB54BPSA1

Infineon Technologies AG

Obsolete

INFINEON TECHNOLOGIES AG

5.62

EAR99

compliant

40

F3L11MR12W2M1HB19BPSA1
F3L11MR12W2M1HB19BPSA1
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Infineon Technologies

Tray

活跃

-

Discrete Semiconductor Modules

Discrete Semiconductor Modules

FZ2400R17KE3
FZ2400R17KE3
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

7

SILICON

8.2

Compliant

FZ2400R17KE3

Infineon

MODULE-7

FLANGE MOUNT

UNSPECIFIED

850 ns

1890 ns

RECTANGULAR

2

Transferred

EUPEC GMBH & CO KG

Single

UPPER

UNSPECIFIED

unknown

R-XUFM-X7

不合格

COMPLEX

ISOLATED

N-CHANNEL

3200 A

1700 V

38 mm

APTGT30DSK60T3G
APTGT30DSK60T3G
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

3

Non-Compliant

600 V

90 W

Dual

Standard

1.9 V

50 A

1.6 nF

有

APTGT150A60TG
APTGT150A60TG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Tin

底座安装

4

Brass

Brass

Non-Compliant

600 V

切割胶带

Crimp

Female

480 W

16 AWG

20 AWG

Non-Insulated

Standard

1.9 V

225 A

9.2 nF

有

APT65GP60J
APT65GP60J
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SOT-227-4, miniBLOC

NO

4

ISOTOP®

4

SILICON

Compliant

ISOTOP-4

FLANGE MOUNT

PLASTIC/EPOXY

84 ns

ISOTOP

微芯片技术

219 ns

未说明

150 °C

有

APT65GP60J

RECTANGULAR

Microsemi Corporation

1

活跃

MICROSEMI CORP

1.47

ISOTOP

Tube

130 A

APT65GP60

活跃

8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

600 V

600 V

-55°C ~ 150°C (TJ)

POWER MOS 7®

e1

有

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

150 °C

-55 °C

低导通损耗

绝缘栅BIP晶体管

431 W

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

unknown

130 A

4

R-PUFM-X4

不合格

Single

Single

ISOLATED

431 W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

600 V

130 A

1 mA

600 V

7.4 nF

431 W

2.7V @ 15V, 65A

130 A

PT

600 V

无

20 V

7.4 nF @ 25 V

6 V

无

无铅

APT50GR120JD30
APT50GR120JD30
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SOT-227-4

SOT-227

微芯片技术

Tube

84 A

APT50GR120

活跃

150 °C

有

APT50GR120JD30

Microsemi Corporation

1

活跃

MICROSEMI CORP

5.62

-55°C ~ 150°C (TJ)

-

EAR99

绝缘栅BIP晶体管

compliant

Single

417 W

Standard

1.1 mA

1200 V

417 W

3.2V @ 15V, 50A

84 A

NPT

1200 V

无

30 V

5.55 nF @ 25 V

APT35GP120JDQ2
APT35GP120JDQ2
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

ISOTOP

ISOTOP®

微芯片技术

Tube

64 A

APT35GP120

活跃

-55°C ~ 150°C (TJ)

POWER MOS 7®

Single

284 W

Standard

350 µA

1200 V

3.9V @ 15V, 35A

PT

无

3.24 nF @ 25 V

APT35GP120J
APT35GP120J
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

ISOTOP

ISOTOP®

微芯片技术

MIL-PRF-55681

Tube

64 A

APT35GP120

活跃

-55°C ~ 150°C (TJ)

POWER MOS 7®

39 pF

Single

284 W

Standard

250 µA

1200 V

3.9V @ 15V, 35A

PT

无

3.24 nF @ 25 V

2.03 mm

2.03 x 1.27 x 1.4

APTGT50A120T1G
APTGT50A120T1G
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP1

1

SP1

1.7 V

75 A

微芯片技术

1200 V

1.2 kV

Bulk

75 A

APTGT50

活跃

20 V

277 W

+ 100 C

2.821917 oz

- 40 C

1

底座安装

Microchip

Microchip Technology / Atmel

Details

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

IGBTs

277 W

Si

半桥

Dual

277 W

Standard

IGBT模块

2.1 V

75 A

250 µA

1200 V

3.6 nF

2.1V @ 15V, 50A

75

沟渠现场停车

有

3.6 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

无

APT30GF60JU2
APT30GF60JU2
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

ISOTOP

SOT-227

微芯片技术

Bulk

58 A

Obsolete

-

-

Single

192 W

Standard

40 µA

600 V

2.5V @ 15V, 30A

NPT

无

1.85 nF @ 25 V

APTGLQ25H120T2G
APTGLQ25H120T2G
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

APTGLQ80HR120CT3G
APTGLQ80HR120CT3G
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

SP3

SP3

2.05 V, 1.5 V

150 A, 100 A

微芯片技术

活跃

500 W, 250 W

+ 100 C

- 40 C

1.2 kV, 600 V

Bulk

150 A

APTGLQ80

-40°C ~ 175°C (TJ)

-

双共用发射器

500 W

Standard

150 µA

1200 V

2.4V @ 15V, 80A

沟渠现场停车

有

4.6 nF @ 25 V

IGBT硅模块

CM200DY-24NF
CM200DY-24NF
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

7

SILICON

1.8 V

200 A

0.5 uA

10

CM200DY-24NF

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

FLANGE MOUNT

UNSPECIFIED

未说明

150 °C

有

RECTANGULAR

2

Transferred

POWEREX INC

5.22

MODULE

Details

1200 V

1130 W

- 40 C

+ 150 C

20 V

Screw

有

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

unknown

7

R-XUFM-X7

不合格

Dual

ISOLATED

MOTOR CONTROL

N-CHANNEL

1130 W

200 A

1200 V

20 V

2.5 V

IGBT硅模块

30 mm

CM300DY-12NF
CM300DY-12NF
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.7 V

300 A

0.5 uA

Details

600 V

780 W

- 40 C

+ 150 C

20 V

Screw

10

CM300DY-12NF

Dual

600 V

IGBT硅模块

29 mm

PM150CG1B065
PM150CG1B065
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.25 V

150 A

Details

650 V

480 W

- 20 C

+ 125 C

Screw

10

PM150CG1B065

6-Pack

IGBT硅模块

PM300RG1C065
PM300RG1C065
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.25 V

300 A

-

Details

650 V

1041 W

- 20 C

+ 125 C

Screw

10

7-Pack

IGBT硅模块

CM150DY-24A
CM150DY-24A
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2.1 V

150 A

0.5 uA

Details

1200 V

960 W

- 40 C

+ 150 C

20 V

Screw

10

CM150DY-24A

Dual

IGBT硅模块

29 mm

CM100DY-24A
CM100DY-24A
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2.1 V

100 A

0.5 uA

Details

1200 V

672 W

- 40 C

+ 150 C

20 V

Screw

10

CM100DY-24A

Dual

IGBT硅模块

29 mm

CM100DY-24NF
CM100DY-24NF
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.8 V

100 A

0.5 uA

Details

1200 V

650 W

- 40 C

+ 150 C

20 V

Screw

10

CM100DY-24NF

Dual

IGBT硅模块

29 mm

CM300DX-24T
CM300DX-24T
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.6 V

300 A

0.5 uA

有

CM300DX-24T

活跃

MITSUBISHI ELECTRIC CORP

5.27

Details

1200 V

1700 W

- 40 C

+ 150 C

20 V

Screw

10

,

未说明

未说明

unknown

Dual

IGBT硅模块

CM400DY-24NF
CM400DY-24NF
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.8 V

400 A

0.5 uA

Details

1200 V

1470 W

- 40 C

+ 150 C

20 V

Screw

10

CM400DY-24NF

Dual

IGBT硅模块

29 mm

CM200DY-24T
CM200DY-24T
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.65 V

200 A

0.5 uA

活跃

MITSUBISHI ELECTRIC CORP

5.57

Details

1200 V

2380 W

- 40 C

+ 150 C

20 V

Screw

10

,

有

CM200DY-24T

unknown

Dual

IGBT硅模块