类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 材料 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | 容差 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 温度系数 | 类型 | 电阻 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 组成 | 性别 | 附加功能 | 电容量 | 子类别 | 额定功率 | 最大功率耗散 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 失败率 | 配置 | 元素配置 | 线规(最大值) | 线规(最小值) | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 绝缘材料 | 极性/通道类型 | 输入 | 产品类别 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 最大耗散功率(Abs) | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 连续集电极电流 | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 栅极-发射极Thr电压-最大值 | 产品 | 特征 | 产品类别 | 产品长度 | 产品宽度 | 长度 | 宽度 | 高度(毫米) | 辐射硬化 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM25GP120B2BOSA1 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | Module | Infineon Technologies | Non-Compliant | Tray | 45 A | BSM25G | 最后一次购买 | 150°C (TJ) | Bulk | - | 0.1 % | 2 | 50 ppm/°C | 60.4 Ω | Metal Film | 125 mW | 125 mW | 0.001 % | 全桥 | 230 W | 三相桥式整流器 | 500 µA | 1200 V | 2.55V @ 15V, 25A | - | 有 | 1.5 nF @ 25 V | Military, Moisture Resistant, Weldable | 6.35 mm | 2.39 mm | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGF90H60T3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3 | SP3 | 微芯片技术 | Bulk | 120 A | Obsolete | - | - | 全桥逆变器 | 416 W | Standard | 250 µA | 600 V | 2.45V @ 15V, 100A | NPT | 有 | 4.4 nF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DF100R07W1H5FPB54BPSA1 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | DF100R07W1H5FPB54BPSA1 | Infineon Technologies AG | Obsolete | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 5.62 | EAR99 | compliant | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
F3L11MR12W2M1HB19BPSA1 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Infineon Technologies | Tray | 活跃 | - | Discrete Semiconductor Modules | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FZ2400R17KE3 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 7 | SILICON | 8.2 | Compliant | FZ2400R17KE3 | Infineon | MODULE-7 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 850 ns | 1890 ns | RECTANGULAR | 2 | Transferred | EUPEC GMBH & CO KG | Single | UPPER | UNSPECIFIED | unknown | R-XUFM-X7 | 不合格 | COMPLEX | ISOLATED | N-CHANNEL | 3200 A | 1700 V | 38 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT30DSK60T3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 3 | Non-Compliant | 600 V | 90 W | Dual | Standard | 1.9 V | 50 A | 1.6 nF | 有 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT150A60TG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Tin | 底座安装 | 4 | Brass | Brass | Non-Compliant | 600 V | 切割胶带 | Crimp | Female | 480 W | 16 AWG | 20 AWG | Non-Insulated | Standard | 1.9 V | 225 A | 9.2 nF | 有 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT65GP60J | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | NO | 4 | ISOTOP® | 4 | SILICON | Compliant | ISOTOP-4 | FLANGE MOUNT | PLASTIC/EPOXY | 84 ns | ISOTOP | 微芯片技术 | 219 ns | 未说明 | 150 °C | 有 | APT65GP60J | RECTANGULAR | Microsemi Corporation | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 1.47 | ISOTOP | Tube | 130 A | APT65GP60 | 活跃 | 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080 | 600 V | 600 V | -55°C ~ 150°C (TJ) | POWER MOS 7® | e1 | 有 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 150 °C | -55 °C | 低导通损耗 | 绝缘栅BIP晶体管 | 431 W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | unknown | 130 A | 4 | R-PUFM-X4 | 不合格 | Single | Single | ISOLATED | 431 W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600 V | 130 A | 1 mA | 600 V | 7.4 nF | 431 W | 2.7V @ 15V, 65A | 130 A | PT | 600 V | 无 | 20 V | 7.4 nF @ 25 V | 6 V | 无 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT50GR120JD30 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SOT-227-4 | SOT-227 | 微芯片技术 | Tube | 84 A | APT50GR120 | 活跃 | 150 °C | 有 | APT50GR120JD30 | Microsemi Corporation | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.62 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | EAR99 | 绝缘栅BIP晶体管 | compliant | Single | 417 W | Standard | 1.1 mA | 1200 V | 417 W | 3.2V @ 15V, 50A | 84 A | NPT | 1200 V | 无 | 30 V | 5.55 nF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT35GP120JDQ2 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | ISOTOP | ISOTOP® | 微芯片技术 | Tube | 64 A | APT35GP120 | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | POWER MOS 7® | Single | 284 W | Standard | 350 µA | 1200 V | 3.9V @ 15V, 35A | PT | 无 | 3.24 nF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT35GP120J | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | ISOTOP | ISOTOP® | 微芯片技术 | MIL-PRF-55681 | Tube | 64 A | APT35GP120 | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | POWER MOS 7® | 39 pF | Single | 284 W | Standard | 250 µA | 1200 V | 3.9V @ 15V, 35A | PT | 无 | 3.24 nF @ 25 V | 2.03 mm | 2.03 x 1.27 x 1.4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT50A120T1G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1 | 1 | SP1 | 1.7 V | 75 A | 微芯片技术 | 1200 V | 1.2 kV | Bulk | 75 A | APTGT50 | 活跃 | 20 V | 277 W | + 100 C | 2.821917 oz | - 40 C | 1 | 底座安装 | Microchip | Microchip Technology / Atmel | Details | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | IGBTs | 277 W | Si | 半桥 | Dual | 277 W | Standard | IGBT模块 | 2.1 V | 75 A | 250 µA | 1200 V | 3.6 nF | 2.1V @ 15V, 50A | 75 | 沟渠现场停车 | 有 | 3.6 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | IGBT模块 | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT30GF60JU2 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | ISOTOP | SOT-227 | 微芯片技术 | Bulk | 58 A | Obsolete | - | - | Single | 192 W | Standard | 40 µA | 600 V | 2.5V @ 15V, 30A | NPT | 无 | 1.85 nF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ25H120T2G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ80HR120CT3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | SP3 | SP3 | 2.05 V, 1.5 V | 150 A, 100 A | 微芯片技术 | 活跃 | 500 W, 250 W | + 100 C | - 40 C | 1.2 kV, 600 V | Bulk | 150 A | APTGLQ80 | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | 双共用发射器 | 500 W | Standard | 150 µA | 1200 V | 2.4V @ 15V, 80A | 沟渠现场停车 | 有 | 4.6 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM200DY-24NF | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 7 | SILICON | 1.8 V | 200 A | 0.5 uA | 10 | CM200DY-24NF | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 未说明 | 150 °C | 有 | RECTANGULAR | 2 | Transferred | POWEREX INC | 5.22 | MODULE | Details | 1200 V | 1130 W | - 40 C | + 150 C | 20 V | Screw | 有 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | unknown | 7 | R-XUFM-X7 | 不合格 | Dual | ISOLATED | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | 1130 W | 200 A | 1200 V | 20 V | 2.5 V | IGBT硅模块 | 30 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM300DY-12NF | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1.7 V | 300 A | 0.5 uA | Details | 600 V | 780 W | - 40 C | + 150 C | 20 V | Screw | 10 | CM300DY-12NF | Dual | 600 V | IGBT硅模块 | 29 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PM150CG1B065 | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1.25 V | 150 A | Details | 650 V | 480 W | - 20 C | + 125 C | Screw | 10 | PM150CG1B065 | 6-Pack | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PM300RG1C065 | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1.25 V | 300 A | - | Details | 650 V | 1041 W | - 20 C | + 125 C | Screw | 10 | 7-Pack | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM150DY-24A | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 2.1 V | 150 A | 0.5 uA | Details | 1200 V | 960 W | - 40 C | + 150 C | 20 V | Screw | 10 | CM150DY-24A | Dual | IGBT硅模块 | 29 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM100DY-24A | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 2.1 V | 100 A | 0.5 uA | Details | 1200 V | 672 W | - 40 C | + 150 C | 20 V | Screw | 10 | CM100DY-24A | Dual | IGBT硅模块 | 29 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM100DY-24NF | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1.8 V | 100 A | 0.5 uA | Details | 1200 V | 650 W | - 40 C | + 150 C | 20 V | Screw | 10 | CM100DY-24NF | Dual | IGBT硅模块 | 29 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM300DX-24T | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1.6 V | 300 A | 0.5 uA | 有 | CM300DX-24T | 活跃 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP | 5.27 | Details | 1200 V | 1700 W | - 40 C | + 150 C | 20 V | Screw | 10 | , | 未说明 | 未说明 | unknown | Dual | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM400DY-24NF | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1.8 V | 400 A | 0.5 uA | Details | 1200 V | 1470 W | - 40 C | + 150 C | 20 V | Screw | 10 | CM400DY-24NF | Dual | IGBT硅模块 | 29 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM200DY-24T | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1.65 V | 200 A | 0.5 uA | 活跃 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP | 5.57 | Details | 1200 V | 2380 W | - 40 C | + 150 C | 20 V | Screw | 10 | , | 有 | CM200DY-24T | unknown | Dual | IGBT硅模块 |
BSM25GP120B2BOSA1
Infineon
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGF90H60T3G
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
DF100R07W1H5FPB54BPSA1
Infineon
分类:Transistors - IGBTs - Modules
F3L11MR12W2M1HB19BPSA1
Infineon
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ2400R17KE3
Infineon
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT30DSK60T3G
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT150A60TG
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT65GP60J
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT50GR120JD30
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT35GP120JDQ2
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT35GP120J
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT50A120T1G
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT30GF60JU2
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ25H120T2G
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ80HR120CT3G
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
CM200DY-24NF
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
CM300DY-12NF
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
PM150CG1B065
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
PM300RG1C065
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
CM150DY-24A
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
CM100DY-24A
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
CM100DY-24NF
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
CM300DX-24T
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
CM400DY-24NF
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
CM200DY-24T
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
