类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 供应商器件包装 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | 类型 | 子类别 | 技术 | 配置 | 输出配置 | 功率耗散 | 功率 - 最大 | 输入 | 产品类别 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 信道型 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 连续集电极电流 | IGBT类型 | 电机类型 | 重复峰值反向电压 | NTC热敏电阻 | 输入电容(Cies)@Vce | 产品 | Vf-正向电压 | 产品类别 | ||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FF600R12KE4PBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-62MM-1 | 1.75 | 600 A | FF600R12KE4P SP001603612 | Infineon | Infineon Technologies | Infineon Technologies | TRENCHSTOP | Details | 1200 V | Tray | 活跃 | 600 A | FF600R12 | - | + 150 C | - 40 C | 8 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tray | C | IGBTs | 2 Independent | - | Standard | IGBT模块 | 5 mA | 1200 V | 2.2V @ 15V, 600A | 600 | 沟渠现场停车 | 无 | 38 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | IGBT模块 | |||||||||||||||||||
FZ1600R33HE4BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-IHVB130-3 | 2.4V | 1600 A | - 40 C | 2 | Infineon Technologies | FZ1600R33HE4 SP005560458 | Infineon | Infineon Technologies | 3300 V | Tray | 活跃 | 1.6 kA | FZ1600 | AG-IHVB130 | 3300 V | 3600 kW | + 150 C | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tray | IHM-B | IGBTs | 2 Independent | - | 3600 W | Standard | IGBT模块 | 5 mA | 3300 V | 2.65V @ 15V, 1.6kA | 1.6kA | 沟渠现场停车 | 无 | 187 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | IGBT模块 | ||||||||||||||||||
NXH75M65L4Q1SG | onsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | 56-PIM (93x47) | onsemi | Tray | 活跃 | 59 A | 21 | onsemi | onsemi | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | 半桥 | 86 W | Standard | 300 μA | 650 V | 2.22V @ 15V, 75A | 沟渠现场停车 | 有 | 5.665 nF @ 30 V | onsemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
NXH200T120H3Q2F2STNG | onsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | 56-PIM/Q2PACK (93x47) | onsemi | 330 A | 活跃 | Tray | 12 | onsemi | onsemi | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | 半桥 | 679 W | Standard | 500 μA | 650 V | 2.3V @ 15V, 200A | 沟渠现场停车 | 无 | 35.615 nF @ 25 V | onsemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP100R12N2T7BPSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-ECONO2B | 1.5 V | 100 A | Infineon | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Details | 1200 V | Tray | 活跃 | 100 A | FP100R12 | - | + 175 C | - 40 C | 15 | FP100R12N2T7 SP005422566 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tray | - | IGBTs | 三相逆变器 | 20 mW | 三相桥式整流器 | IGBT模块 | 10 μA | 1200 V | 1.5V @ 15V, 100A | 沟渠现场停车 | 有 | 21.7 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | IGBT模块 | |||||||||||||||||||||
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 夹具安装 | Infineon Technologies | 1.6 kV | + 150 C | 20 V | - 40 C | 底座安装 | Tray | 活跃 | * | Rectifier Diode Module | Discrete Semiconductor Modules | SiC | Single | 1.6kV | Schottky Diode Modules | 1.61 V | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP75R12N2T7BPSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-ECONO2B | 1.55 V | 75 A | Infineon | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Details | 1200 V | Tray | 活跃 | 75 A | FP75R12 | - | + 175 C | - 40 C | 15 | FP75R12N2T7 SP005597318 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tray | IGBTs | 三相逆变器 | 20 mW | 三相桥式整流器 | IGBT模块 | 14 μA | 1200 V | 1.55V @ 15V, 75A | 沟渠现场停车 | 有 | 15.1 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | IGBT模块 | ||||||||||||||||||||||
FS75R17W2E4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Infineon Technologies | Tray | 活跃 | 18 | FS75R17W2E4P_B11 SP005629666 | Infineon | Infineon Technologies | Details | Tray | * | IGBTs | IGBT模块 | IGBT模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
A2F12M12W2-F1 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | ACEPACK 2 | 1200 V | + 150 C | -10 V to 22 V | 1.481506 oz | - 40 C | STMicroelectronics | 18 | 压装 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | Details | Tray | 活跃 | A2F12M12 | 75A | 175°C (TJ) | Tray | - | 全桥 | Discrete Semiconductor Modules | SiC | 全桥 | - | Standard | Discrete Semiconductor Modules | Four N Channel | - | - | 有 | 7 nF @ 800 V | IGBT碳化硅模块 | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||
DDB6U50N16W1RBPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 夹具安装 | Infineon Technologies | 1.6 kV | + 150 C | 20 V | - 40 C | 底座安装 | Tray | 活跃 | * | Rectifier Diode Module | Discrete Semiconductor Modules | SiC | Single | 1.6kV | Schottky Diode Modules | 1.61 V | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IM241L6T2BAKMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 25 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 23-DIP | 1.15 V | 6 A | 240 | IM241-L6T2B SP005426929 | Infineon Technologies | Infineon | Infineon Technologies | 600 V | Tube | 活跃 | IM241L6 | 6A | 1.62 V | 15 W | + 125 C | - 40 C | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | IGBTs | 三相逆变器 | 半桥 | 15 W | Standard | IGBT模块 | 600 V | 1.62V @ 15V, 2A | - | 3-Phase Motor | 有 | IGBT硅模块 | IGBT模块 | |||||||||||||||||||||||
F3L400R07W3S5B11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Infineon Technologies | 8 | Infineon | Infineon Technologies | Details | Tray | 不用于新设计 | Tray | * | Infineon | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSM15GD120DLCE3224BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Infineon Technologies | Tray | 最后一次购买 | BSM15G | 15 | BSM15GD120DLCE3224 SP005422380 | Infineon | Infineon Technologies | Details | Tray | * | IGBTs | IGBT模块 | IGBT模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FS100R12KT4BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-ECONO3 | Infineon Technologies | 100 A | FS100R12 | 15 | FS100R12KT4 SP005422436 | Infineon | Infineon Technologies | Details | Tray | 活跃 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tray | IGBTs | 全桥逆变器 | 515 W | Standard | IGBT模块 | 1 mA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 100A | 沟渠现场停车 | 无 | 6.3 nF @ 25 V | IGBT模块 | |||||||||||||||||||||||||||||
FF600R17ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-ECONOD | Infineon Technologies | Tray | 活跃 | 950 A | FF600R12 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 2 Independent | 20 mW | Standard | 1 mA | 1700 V | 2.3V @ 15V, 600A | 950 | 沟渠现场停车 | 有 | 48 nF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP50R12KT4BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-ECONO2B | 1.85V | 50 A | Infineon Technologies | - 40 C | 1.2 kV | Tray | 活跃 | 50 A | FP50R12 | 280 W | + 150 C | -40°C ~ 150°C (TJ) | 三相逆变器 | 280W | 280 W | 三相桥式整流器 | 1 mA | 1200 V | 2.25V @ 15V, 50A | 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 2.8 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||
FZ1000R33HE3B60BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-IHVB130-3 | Infineon Technologies | 1000 A | FZ1000 | 2 | FZ1000R33HE3_B60 SP001617628 | Infineon | Infineon Technologies | Details | Tray | 不用于新设计 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tray | IHM-B | IGBTs | 单开关 | 1.6 MW | Standard | IGBT模块 | 5 mA | 3300 V | 3.1V @ 15V, 1kA | 沟渠现场停车 | 无 | 190 nF @ 25 V | IGBT模块 | ||||||||||||||||||||||||||||
FF450R12ME4EB11BPSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-ECONOD-6 | Infineon Technologies | 450 A | FF450R12 | 10 | FF450R12ME4E_B11 SP005422528 | Infineon | Infineon Technologies | Details | Tray | 不用于新设计 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tray | IGBTs | 半桥逆变器 | 20 mW | Standard | IGBT模块 | 3 mA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 450A | 450 | 沟渠现场停车 | 有 | 28 nF @ 25 V | IGBT模块 | ||||||||||||||||||||||||||||
FF600R12ME4B11BPSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-ECONOD | 1.75V | Infineon Technologies | FF600R12 | Tray | 不用于新设计 | 995 A | -40°C ~ 150°C (TJ) | 2 Independent | 4.05kW | 4050 W | Standard | 3 mA | 1200 V | 2.05V @ 15V, 600A | 995A | 沟渠现场停车 | 有 | 37 nF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSM35GP120BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-ECONO2B | 2.3 V | 45 A | Infineon | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Details | 1200 V | Tray | 不用于新设计 | 45 A | BSM35G | 230 W | + 125 C | - 40 C | 15 | BSM35GP120 SP005422374 | 150°C (TJ) | Tray | - | IGBTs | 三相逆变器 | 230 W | 三相桥式整流器 | IGBT模块 | 500 μA | 1200 V | 2.75V @ 15V, 17.5A | - | 有 | 1.5 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | IGBT模块 | |||||||||||||||||||||
FF600R12KE4EBOSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Infineon Technologies | Bulk | 活跃 | * | 600 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FZ1500R33HE3B60BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-IHVB190 | Infineon Technologies | 1500 A | FZ1500 | 1 | FZ1500R33HE3_B60 SP001617634 | Infineon | Infineon Technologies | Details | Tray | 不用于新设计 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tray | IHM-B | IGBTs | 单开关 | 2.4 MW | Standard | IGBT模块 | 5 mA | 3300 V | 3.1V @ 15V, 1.5kA | 沟渠现场停车 | 无 | 280 nF @ 25 V | IGBT模块 | ||||||||||||||||||||||||||||
FF225R65T3E3P2BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-XHP3K65 | Infineon Technologies | Tray | 活跃 | 225 A | FF225R65 | 125°C (TJ) | 2 Independent | 1000 kW | Standard | 5 mA | 5900 V | 3.4V @ 15V, 225A | 沟渠现场停车 | 无 | 65.6 nF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP50R12KT4B11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 1 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-ECONO2B | 1.85 | 50 A | Infineon | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Details | 1200 V | Tray | 活跃 | 50 A | FP50R12 | 280 W | + 150 C | - 40 C | 15 | FP50R12KT4_B11 SP005422424 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tray | IGBTs | 三相逆变器 | 280 | 280 W | 三相桥式整流器 | IGBT模块 | 1 mA | 1200 V | 2.15V @ 15V, 50A | 50 | 沟渠现场停车 | 有 | 2.8 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | IGBT模块 | ||||||||||||||||||||
FP150R07N3E4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | AG-ECONO3 | Infineon Technologies | 150 A | FP150R07 | 6 | FP150R07N3E4P_B11 SP005351712 | Infineon | Infineon Technologies | Details | Tray | 活跃 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tray | IGBTs | 三相逆变器 | 430 W | 三相桥式整流器 | IGBT模块 | 1 mA | 650 V | 1.95V @ 15V, 150A | 沟渠现场停车 | 有 | 9.3 nF @ 25 V | IGBT模块 |
FF600R12KE4PBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ1600R33HE4BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
NXH75M65L4Q1SG
onsemi
分类:Transistors - IGBTs - Modules
NXH200T120H3Q2F2STNG
onsemi
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP100R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP75R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS75R17W2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
A2F12M12W2-F1
STMicroelectronics
分类:Transistors - IGBTs - Modules
DDB6U50N16W1RBPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
IM241L6T2BAKMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
57.451288
F3L400R07W3S5B11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
BSM15GD120DLCE3224BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS100R12KT4BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF600R17ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP50R12KT4BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ1000R33HE3B60BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF450R12ME4EB11BPSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF600R12ME4B11BPSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
BSM35GP120BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF600R12KE4EBOSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ1500R33HE3B60BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF225R65T3E3P2BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP50R12KT4B11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
954.799684
FP150R07N3E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
