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首页 全部分类 02011J0R4PBSTR vs 02015J0R4PBSTR

02011J0R4PBSTR备选型号: 02015J0R4PBSTR

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  • 最高工作温度
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  • HTS代码
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 包装方式
  • 箱码（公制）
  • 箱码（英制）
  • 电容式
  • 正容差
  • 负公差
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 组成
  • NA
    02011J0R4PBSTR
    NA
    ACCU-F/P
    14 Weeks
    YES
    一个表面
    SURFACE MOUNT
    二氧化硅和氧氮化硅
    170.097139μg
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    125°C
    -55°C
    8532.25.00.45
    400FF
    100V
    TR
    0603
    0201
    薄膜电容器
    5%
    5%
    230μm
    600μm
    300μm
    ROHS3 Compliant
    -
  • NA
    02015J0R4PBSTR
    NA
    ACCU-F/P
    14 Weeks
    YES
    一个表面
    SURFACE MOUNT
    二氧化硅和氧氮化硅
    170.097139μg
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    125°C
    -55°C
    8532.25.00.45
    400FF
    50V
    TR
    0603
    0201
    薄膜电容器
    5%
    5%
    230μm
    600μm
    300μm
    ROHS3 Compliant
    Thin Film
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