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首页 全部分类 1N483BUR vs SBX201C-L-TB-E

1N483BUR备选型号: SBX201C-L-TB-E

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  • 终端形式
  • 元素配置
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  • 二极管类型
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  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 二极管配置
  • Microsemi Corporation
    1N483BUR
    Microsemi Corporation
    DIODE GEN PURP 225V 50MA DO213AA
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DO-213AA
    2
    SILICON
    175°C
    -65°C
    1
    Bulk
    1997
    e0
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    锡铅
    冶金结合
    8541.10.00.70
    END
    环绕
    Single
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Standard
    25nA @ 225V
    1V @ 100mA
    ISOLATED
    200mA
    -65°C~175°C
    225V
    50mA
    225V
    2A
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
  • ON Semiconductor
    SBX201C-L-TB-E
    ON Semiconductor
    Schottky Diodes & Rectifiers SBD SERIES 50MA 2V
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    -
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    1994
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Schottky
    10μA @ 2V
    320mV @ 1mA
    -
    50mA
    150°C Max
    2V
    50mA
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    1 Pair Series Connection
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