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1N5406-T备选型号: 1N5406-B

1N5406-T

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

6 Weeks
Tin
通孔
通孔
DO-201AD, Axial
2
1.09999g
SILICON
1
Tape & Reel (TR)
2006
e3
no
Obsolete
1 (Unlimited)
2
EAR99
150°C
-65°C
GENERAL PURPOSE
8541.10.00.80
25pF
600V
WIRE
260
3A
40
1N5406
2
Single
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Standard
10μA @ 600V
3A
1V @ 3A
ISOLATED
3A
-65°C~150°C
200A
1V
600V
3A
1
10μA
600V
25pF @ 4V 1MHz
200A
600V
5.3mm
5.3mm
9.5mm
5.3mm
无
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
-
1N5406-B

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

6 Weeks
Tin
通孔
通孔
DO-201AD, Axial
2
1.09999g
SILICON
1
Bulk
2006
e3
no
Obsolete
1 (Unlimited)
2
-
150°C
-65°C
GENERAL PURPOSE
8541.10.00.80
-
-
WIRE
260
-
40
1N5406
2
Single
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Standard
10μA @ 600V
-
1V @ 3A
ISOLATED
3A
-65°C~150°C
200A
1V
600V
3A
1
10μA
600V
25pF @ 4V 1MHz
200A
600V
-
5.3mm
9.5mm
5.3mm
-
ROHS3 Compliant
-
not_compliant
不合格
3A
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