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首页 全部分类 1N5408-G vs 1N5402-T

1N5408-G备选型号: 1N5402-T

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  • 包装
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 应用
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
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  • 反向电流-最大值
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 输出电流
  • 正向电流
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压(直流电)
  • 直径
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Comchip Technology
    1N5408-G
    Comchip Technology
    DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    DO-201AD, Axial
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    GENERAL PURPOSE
    HIGH RELIABILITY
    WIRE
    未说明
    未说明
    1N5408
    O-PALF-W2
    SINGLE
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 1000V
    950mV @ 3A
    ISOLATED
    -65°C~125°C
    3A
    1000V
    1kV
    3A
    1
    200A
    5μA
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    1N5402-T
    Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
    -
    通孔
    通孔
    DO-201AD, Axial
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    GENERAL PURPOSE
    -
    WIRE
    260
    40
    1N5402
    -
    -
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 200V
    1V @ 3A
    ISOLATED
    -65°C~150°C
    -
    -
    200V
    3A
    1
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    2
    1.09999g
    e3
    no
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    8541.10.00.80
    50pF
    200V
    3A
    2
    Single
    3A
    3A
    200A
    1V
    10μA
    200V
    50pF @ 4V 1MHz
    200A
    200V
    5.3mm
    5.3mm
    9.5mm
    5.3mm
    无
    无铅
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