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首页 全部分类 1N5408G-T vs 1N4006G-T

1N5408G-T备选型号: 1N4006G-T

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  • 二极管元件材料
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  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 应用
  • HTS代码
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 输出电流
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 恢复时间
  • 反向电压(直流电)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • Reach合规守则
  • 资历状况
  • Diodes Incorporated
    1N5408G-T
    Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    DO-201AD, Axial
    2
    1.09999g
    SILICON
    1
    Cut Tape (CT)
    2011
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    GENERAL PURPOSE
    8541.10.00.80
    40pF
    1kV
    WIRE
    260
    3A
    40
    1N5408
    2
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 1000V
    3A
    1.1V @ 3A
    ISOLATED
    3A
    -65°C~150°C
    125A
    1000V
    1.1V
    1kV
    3A
    1
    2 μs
    5μA
    1kV
    40pF @ 4V 1MHz
    125A
    2 μs
    1kV
    5.3mm
    9.5mm
    5.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    1N4006G-T
    Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
    23 Weeks
    通孔
    通孔
    DO-204AL, DO-41, Axial
    2
    299.994654mg
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    175°C
    -65°C
    -
    8541.10.00.80
    8pF
    800V
    WIRE
    260
    1A
    40
    1N4006
    2
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 800V
    1A
    1V @ 1A
    ISOLATED
    1A
    -65°C~175°C
    30A
    -
    1V
    800V
    1A
    -
    2 μs
    5μA
    800V
    8pF @ 4V 1MHz
    30A
    2 μs
    800V
    2.72mm
    5.21mm
    2.72mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    not_compliant
    不合格
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