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1N6132A备选型号: 1N6131A

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  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 极性
  • 配置
  • 箱体转运
  • 电源线保护
  • 电压 - 击穿
  • 功率 - 脉冲峰值
  • 峰值脉冲电流（10/1000μs）
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）
  • 电压 - 反向断态（典型值）
  • 双向通道
  • 最大非代表峰值转速功率Dis
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 底架
  • 引脚数
  • 泄漏电流
  • 元素配置
  • 箝位电压
  • 峰值脉冲电流
  • 峰值脉冲功率
  • 方向
  • 测试电流
  • 反向击穿电压
  • Microsemi Corporation
    1N6132A
    Microsemi Corporation
    TVS DIODE 91.2V 165.1V AXIAL
    IN PRODUCTION (Last Updated: 4 weeks ago)
    17 Weeks
    通孔
    B, Axial
    NO
    SILICON
    1
    -55°C~175°C TJ
    Bulk
    1997
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Zener
    锡铅
    通用型
    HIGH RELIABILITY
    WIRE
    2
    O-LALF-W2
    BIDIRECTIONAL
    SINGLE
    ISOLATED
    无
    114V
    500W
    3A
    165.1V
    91.2V
    1
    500W
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    1N6131A
    Microsemi Corporation
    Diode TVS Single Bi-Dir 86.6V 500W 2-Pin Case E
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    17 Weeks
    通孔
    B, Axial
    -
    SILICON
    1
    -55°C~175°C TJ
    Bulk
    1997
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Zener
    锡铅
    通用型
    HIGH RELIABILITY
    WIRE
    2
    -
    双向
    -
    ISOLATED
    无
    -
    -
    3.3A
    -
    86.6V
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    Lead, Tin
    通孔
    2
    1μA
    Single
    151.3V
    3.3A
    500W
    双向
    12mA
    104.5V
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