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1N6157US备选型号: 1N6157

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
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  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 二极管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 二极管类型
  • 箱体转运
  • 最大反向漏电电流
  • 箝位电压
  • 峰值脉冲电流
  • 峰值脉冲功率
  • 方向
  • 测试电流
  • 最大非代表峰值转速功率Dis
  • 最小击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • Microsemi Corporation
    1N6157US
    Microsemi Corporation
    Diode TVS Single Bi-Dir 32.7V 1.5KW 2-Pin G-MELF
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    MELF
    2
    SILICON
    1
    Bulk
    1997
    e0
    no
    活跃
    2
    EAR99
    锡铅
    175°C
    -55°C
    HIGH RELIABILITY
    8541.10.00.50
    END
    环绕
    2
    Single
    跨压抑制二极管
    ISOLATED
    5μA
    59.1V
    25.4A
    1.5kW
    双向
    30mA
    1500W
    40.9V
    无
    Non-RoHS Compliant
  • Microsemi Corporation
    1N6157
    Microsemi Corporation
    TVS Diodes / ESD Suppressors Bi-Directional TVS
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    8 Weeks
    通孔
    -
    2
    SILICON
    1
    Bulk
    1997
    e0
    no
    活跃
    2
    EAR99
    铜基锡铅
    175°C
    -55°C
    HIGH RELIABILITY
    8541.10.00.50
    AXIAL
    WIRE
    2
    Single
    跨压抑制二极管
    ISOLATED
    5μA
    59.1V
    25.4A
    1.5kW
    双向
    30mA
    1500W
    40.9V
    无
    Non-RoHS Compliant
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