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首页 全部分类 1N8030-GA vs 1N8026-GA

1N8030-GA备选型号: 1N8026-GA

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  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 自然的热阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 元素配置
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 平均整流电流（Io）
  • GeneSiC Semiconductor
    1N8030-GA
    GeneSiC Semiconductor
    Schottky Diodes & Rectifiers 650V, 1A, 225 Deg C
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-257-3
    1
    Tube
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -55°C
    8541.10.00.80
    1N8030
    SINGLE
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    5μA @ 650V
    1.39V @ 750mA
    750mA
    -55°C~250°C
    2.5A
    1.4V
    650V
    750mA
    0ns
    650V
    76pF @ 1V 1MHz
    10A
    9.52 °C/W
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • GeneSiC Semiconductor
    1N8026-GA
    GeneSiC Semiconductor
    Schottky Diodes & Rectifiers 1200V, 5A, 225 Deg C
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-257-3
    -
    Tube
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    1N8026
    -
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    10μA @ 1200V
    1.6V @ 2.5A
    2.5A
    -55°C~250°C
    -
    1.6V
    1.2kV
    2.5A
    0 s
    1.2kV
    237pF @ 1V 1MHz
    30A
    3.4 °C/W
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    TO-257
    Single
    1200V
    8A DC
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1N8026-GA 1N8026-GA GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 TO-257-3 Schottky Diodes & Rectifiers 1200V, 5A, 225 Deg C 对比