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首页 全部分类 1N8033-GA vs SB2003M-TL-W

1N8033-GA备选型号: SB2003M-TL-W

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  • 自然的热阻
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 二极管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 应用
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • GeneSiC Semiconductor
    1N8033-GA
    GeneSiC Semiconductor
    Schottky Diodes & Rectifiers 650V, 5A, 225 Deg C
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-276AA
    1
    Tube
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    8541.10.00.80
    1N8033
    Single
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    5μA @ 650V
    1.65V @ 5A
    5A
    -55°C~250°C
    8A
    4.3A DC
    2.5V
    650V
    4.3A
    0ns
    650V
    274pF @ 1V 1MHz
    32A
    1.38 °C/W
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    SB2003M-TL-W
    ON Semiconductor
    Diode Schottky 30V 2A 6-Pin MCPH T/R
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    1
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    30μA @ 15V
    500mV @ 2A
    2A
    -55°C~125°C
    2A
    -
    500mV
    30V
    2A
    20 ns
    30V
    75pF @ 10V 1MHz
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    6
    SILICON
    e6
    yes
    6
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    125°C
    -55°C
    GENERAL PURPOSE
    HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT
    DUAL
    1
    30μA
    10A
    无
    无铅
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