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首页 全部分类 1SS384TE85LF vs DCB010-TB-E

1SS384TE85LF备选型号: DCB010-TB-E

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  • 端子表面处理
  • 最大反向漏电电流
  • 最大浪涌电流
  • 反向恢复时间
  • 恢复时间
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    1SS384TE85LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V USQ
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-82
    82
    Cut Tape (CT)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    100°C
    -40°C
    100mW
    Dual
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Schottky
    20μA @ 10V
    500mV @ 100mA
    100mA
    125°C Max
    230mV
    10V
    100mA
    20μA
    15V
    200mA
    2 Independent
    1A
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    DCB010-TB-E
    ON Semiconductor
    Diodes - General Purpose, Power, Switching DUAL COMMON CATHODE SW DI
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SC-96
    3
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    125°C
    -55°C
    200mW
    共阴极
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Standard
    100nA @ 80V
    1.2V @ 100mA
    -
    125°C Max
    -
    80V
    100mA
    -
    -
    -
    1 Pair Common Cathode
    -
    -
    符合RoHS标准
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    500nA
    6A
    4 ns
    4 ns
    无铅
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