23A1024-E/P备选型号: AS6C6264-55PCN

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 操作温度
  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
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  • 内存大小
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 内存格式
  • 内存接口
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  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 待机电流-最大值
  • 记忆密度
  • 访问时间(最大)
  • 并行/串行
  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • 输出启用
  • 反向引脚排列
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 底架
  • 引脚数
  • 制造商包装标识符
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
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  • 端口的数量
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 环境温度范围高
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microchip Technology
    IC SRAM 1M SPI 16MHZ 8DIP
    7 Weeks
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    NO
    Volatile
    -40°C~125°C TA
    Tube
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Matte Tin (Sn) - annealed
    1.7V~2.2V
    DUAL
    NOT APPLICABLE
    1
    2.54mm
    NOT APPLICABLE
    23A1024
    R-PDIP-T8
    不合格
    2.2V
    1.8/2V
    1.7V
    1Mb 128K x 8
    SYNCHRONOUS
    16MHz
    SRAM
    SPI - Quad I/O
    128KX8
    3-STATE
    8
    0.000012A
    1048576 bit
    32 ns
    SERIAL
    COMMON/SEPARATE
    1.7V
    NO
    NO
    9.271mm
    5.334mm
    7.62mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Alliance Memory, Inc.
    SRAM 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch SRAM
    8 Weeks
    通孔
    28-DIP (0.600, 15.24mm)
    -
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tube
    2005
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    28
    -
    2.7V~5.5V
    DUAL
    260
    1
    2.54mm
    40
    -
    -
    -
    5.5V
    3/5V
    2.7V
    64Kb 8K x 8
    -
    -
    SRAM
    Parallel
    8KX8
    3-STATE
    -
    -
    -
    55 ns
    -
    COMMON
    -
    -
    -
    36.32mm
    -
    13.21mm
    ROHS3 Compliant
    通孔
    28
    AS6C6264-55PCN
    yes
    EAR99
    8542.32.00.32
    3V
    28
    3V
    1
    55ns
    13b
    64 kb
    70°C
    4.191mm
    无铅
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