23A1024T-E/ST备选型号: N25S830HAT22I
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 操作模式
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- 并行/串行
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 输出启用
- 反向引脚排列
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 底架
- 引脚数
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 电源电压
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 界面
- 端口的数量
- 电源电流
- 访问时间
- 无卤素
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- IC SRAM 1M SPI 16MHZ 8TSSOP5 Weeks表面贴装8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)YESVolatile-40°C~125°C TATape & Reel (TR)2012e3活跃1 (Unlimited)8Matte Tin (Sn) - annealed1.7V~2.2VDUAL26010.65mm4023A1024R-PDSO-G8不合格2.2V1.8/2V1.7V1Mb 128K x 8SYNCHRONOUS16MHzSRAMSPI - Quad I/O128KX83-STATE80.000012A1048576 bit32 nsSERIALCOMMON/SEPARATE1.7VNONO4.4mm1.2mm3mmROHS3 Compliant---------------------
- ON SEMICONDUCTOR N25S830HAT22I SRAM, 256KBIT, SERIAL, 20MHZ 8-TSSOP23 Weeks表面贴装8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)-Volatile-40°C~85°C TATube2000e3活跃3 (168 Hours)8Tin (Sn)2.7V~3.6VDUAL-10.65mm-N25S830HA--3.6V-2.7V256Kb 32K x 8-20MHzSRAMSPI-3-STATE-0.000004A---SEPARATE2.7V--4.5mm-3.1mmROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 4 days ago)表面贴装8yesEAR993V83V2-Wire, SPI, Serial110mA25 ns无卤素1b256 kbSynchronous8b1.05mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 23K640-I/ST | Microchip Technology | 存储器 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | MICROCHIP - 23K640-I/ST - SRAM, 64KB, SERIAL, 20MHZ, TSSOP-8 | 对比 |
![]() | N25S830HAT22I | ON Semiconductor | 存储器 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | ON SEMICONDUCTOR N25S830HAT22I SRAM, 256KBIT, SERIAL, 20MHZ 8-TSSOP | 对比 |
![]() | 23LC1024-I/ST | Microchip Technology | 存储器 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | MICROCHIP - 23LC1024-I/ST - SRAM, 1 MB, 128K x 8bit, 2.5V bis 5.5V, TSSOP, 8 Pin(s) | 对比 |




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