23LC1024-E/P备选型号: 71256SA12TPG
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 操作模式
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- 并行/串行
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 输出启用
- 反向引脚排列
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 底架
- 引脚数
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电源电压
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 端口的数量
- 电源电流
- 访问时间
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 器件厚度
- 辐射硬化
- 无铅
- IC SRAM 1M SPI 16MHZ 8DIP7 Weeks通孔8-DIP (0.300, 7.62mm)NOVolatile-40°C~125°C TATube2012e3活跃1 (Unlimited)8Matte Tin (Sn) - annealed2.5V~5.5VDUALNOT APPLICABLE12.54mmNOT APPLICABLE23LC1024R-PDIP-T8不合格5.5V3/5V2.5V1Mb 128K x 8SYNCHRONOUS16MHzSRAMSPI - Quad I/O128KX83-STATE80.000012A1048576 bit32 nsSERIALCOMMON/SEPARATE2.5VNONO9.271mm5.334mm7.62mmROHS3 Compliant-----------------------
- SRAM Chip Async Single 5V 256K-Bit 32K x 8 12ns 28-Pin PDIP Tube/Tray7 Weeks-PDIP-RAM, SDR, SRAM - Asynchronous-Bulk2011e3活跃1 (Unlimited)28Matte Tin (Sn) - annealed-DUAL26012.54mm-----5V-32kB----32KX83-STATE-----COMMON---34.3mm4.572mm7.62mm符合RoHS标准通孔28yesEAR9970°C0°C5V285VCOMMERCIALParallel5.5V4.5V1160mA12 ns15b256 kbAsynchronous8b3.3mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS6C6264-55PCN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 28-DIP (0.600, 15.24mm) | SRAM 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch SRAM | 对比 |
![]() | AS6C62256-55PCN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 28-DIP (0.600, 15.24mm) | SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM | 对比 |
![]() | 71256SA15TPG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | PDIP | SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM | 对比 |






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