23LCV1024T-I/SN备选型号: AS6C62256-55SINTR

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  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
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  • 功能数量
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  • Reach合规守则
  • 工作电源电压
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  • Microchip Technology
    IC SRAM 1MBIT 20MHZ 8SOIC
    14 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Matte Tin (Sn) - annealed
    2.5V~5.5V
    260
    1
    1.27mm
    40
    23LCV1024
    R-PDSO-G8
    不合格
    5.5V
    3/5V
    2.5V
    SPI, Serial
    1Mb 128K x 8
    1, (3 LINE)
    SYNCHRONOUS
    20MHz
    NVSRAM
    SPI - Dual I/O
    128KX8
    3-STATE
    8
    0.00001A
    1048576 bit
    SEPARATE
    2.5V
    4.9mm
    1.75mm
    3.9mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Alliance Memory, Inc.
    SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM
    8 Weeks
    表面贴装
    28-SOIC (0.330, 8.38mm Width)
    -
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2005
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    -
    2.7V~5.5V
    未说明
    -
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    256Kb 32K x 8
    -
    -
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    28
    yes
    unknown
    3.3V
    55ns
    256 kb
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